[实用新型]一种新型高灵敏低噪音麦克风

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种声音输入设备，特别是一种新型高灵敏低噪音麦克风。

背景技术

随着无线通讯的发展，全球移动电话用户越来越多，用户对移动电话的要求已不仅满足于通话，而且要能够提供高质量的通话效果，尤其是目前移动多媒体技术的发展，移动电话的通话质量更显重要，移动电话的麦克风作为移动电话的语音拾取装置，其设计好坏直接影响通话质量。那么我们总是希望麦克风的灵敏度高些为好，我们可以轻声地说话，也可以让对方听清，虽然电脑内有麦克风加强，但使用中发现，点了加强后，噪声还是比较大的且声音不清晰。

同时目前的麦克风其易失真，声音的质量很差。

实用新型内容

本实用新型的目的是为了解决上述现有技术的不足而提供一种电路简单且能实现声音清晰、防噪音的一种新型高灵敏低噪音麦克风。

为了实现上述目的，本实用新型所设计的一种新型高灵敏低噪音麦克风，包括壳体，其特征在于：所述的壳体内的放大单元，该放大单元包括场效晶体管、电容C1、电容C2、直流电源及负载电阻，场效晶体管包括栅极、漏极及源极，栅极与漏极通过线连接，电容C1的两端分别连接栅极和源极，直流电源分别与电容C2、负载电阻连接，该负载电阻的另一端与漏极连接，电容C2、源极与电容C1的连接点处均接地。

优选地，所述的壳体为金属壳体。

本实用新型得到的一种新型高灵敏低噪音麦克风，采用金属外壳其可以使噪声大大降低，利用放大单元，其主要是为了可以起到用于声音放大使得声音比较清晰，同时MOSFET是电压控制型器件，因此在驱动大电流时无需推动级，电路较简单，能实现输入阻抗高，可达108Ω以上，工作频率范围宽，开关速度高(开关时间为几十纳秒到几百纳秒)，开关损耗小，有较优良的线性区，并且MOSFET的输入电容比双极型的输入电容小得多，所以它的交流输入阻抗极高；能实现噪声也小和声音较为清晰，最合适制作Hi-Fi音响，且功率MOSFET可以多个并联使用，增加输出电流而无需均流电阻。

附图说明

图1是本实用新型的放大单元电路示意图。

图中：场效晶体管1、负载电阻2、直流电源3、栅极10、漏极11、源极12。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。

实施例：

如图1所示，本实用新型提供的一种新型高灵敏低噪音麦克风，包括壳体，所述的壳体内的放大单元，该放大单元包括场效晶体管1、电容C1、电容C2、直流电源3及负载电阻2，场效晶体管1包括栅极10、漏极11及源极12，栅极10与漏极11通过线连接，电容C1的两端分别连接栅极10和源极12，直流电源3分别与电容C2、负载电阻3连接，该负载电阻3的另一端与漏极11连接，电容C2、源极与C1的连接点处均接地，对于本发明创造来说，在麦克风中增加了一个由电容C1、电容C2及负载电阻2组成的电阻电容电路，因此可屏蔽TDMA噪声。

优选地，所述的壳体为金属壳体，其可以有效的防止噪音的产生。

对于场效晶体管1采用的P型的MOSFET，其工作原理为：

截止：漏极间加正电源，栅极间电压为零，漏极之间无电流流过。

导电：在栅极间加正电压UGS，栅极是绝缘的，所以不会有栅极电流流过，但栅极的正电压会将其下面P区中的空穴推开，而将P区中的少子—电子吸引到栅极下面的P区表面。

当UGS大于UT（开启电压或阈值电压）时，栅极下P区表面的电子浓度将超过空穴浓度，漏极和源极导电。

对于本实用新型所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，其架构形式能够灵活多变，只是做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本实用新型由所提交的权利要求书确定的专利保护范围。