[实用新型]微型扬声器

说明书

技术领域

本实用新型涉及电声产品技术领域，特别涉及一种微型扬声器。

背景技术

现有技术中微型扬声器通常包括振动系统、磁路系统和收容固定振动系统和磁路系统的支撑系统，振动系统通常包括振膜和音圈，磁路系统包括依次结合的华司、磁铁和磁轭，磁路系统形成收容音圈的磁间隙。支撑系统中的上壳通常为平板状结构，在该上壳上设有供声音穿过的声孔。传统结构上壳多为平板状的结构，相应的上壳对应振膜的位置为平板状或中空的结构。

通常微型扬声器是需要与终端电子装置配合使用的，相应的微型扬声器支撑系统的结构需要与终端进行配合，对于支撑系统中的上壳设有凹槽的结构，振动系统和磁路系统无法按照传统结构进行装配。传统振膜基本为一平面状的结构，若上壳设有向振膜方向凹陷的凹槽结构，振膜需要与上壳间隔一定距离，以防止振膜振动过程中与上壳碰撞，但是这种结构会减小振动系统和磁路系统的尺寸，影响产品声学性能。因此，本专利提供一种改进方案，使振动系统和磁路系统能够更好的与上述上壳结构相适配。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种微型扬声器，在上壳凹陷的情况下，微型扬声器的振动系统和磁路系统能够很好的与其适配，保证产品的声学性能。

为解决上述技术问题，本实用新型的技术方案是：一种微型扬声器，包括振动系统、磁路系统和支撑系统，所述支撑系统收容固定所述振动系统和磁路系统；所述振动系统包括振膜和结合于振膜一侧的音圈，所述振膜包括位于中心位置的刚性的球顶部和位于边缘位置的折环部；所述磁路系统包括依次结合的华司、磁铁和磁轭，所述磁路系统形成收容所述音圈的磁间隙；所述支撑系统包括上壳；所述上壳对应于所述振膜中心球顶部的位置设有下凹的凹槽结构，其中：所述球顶部正对上壳所述凹槽结构的位置设有避让凹槽，所述避让凹槽的纵向深度不小于所述上壳凹槽结构的深度，并且所述避让凹槽的正投影区域覆盖所述上壳凹槽结构的正投影区域；正对所述振膜的避让凹槽的华司上设有避让结构，所述避让结构的纵向深度不小于所述避让凹槽的深度，所述避让结构的正投影区域能够覆盖所述振膜避让凹槽的正投影区域。

此外，优选的方案是，所述华司的厚度不小于所述振膜避让凹槽的纵向深度；正对所述振膜的所述华司为中空的环形结构，所述华司的避让结构为所述华司的中空部分，所述华司中空部分的正投影区域与所述振膜的避让凹槽的正投影区域重叠。

此外，优选的方案是，所述磁路系统为双磁路结构，包括分别结合于所述磁轭中心位置的中心华司、中心磁铁和结合于所述磁轭边缘位置的边华司和边磁铁；其中所述中心华司正对所述振膜中心的球顶部设置。

此外，优选的方案是，所述中心华司的厚度不小于所述振膜避让凹槽的纵向深度；所述中心华司为中空的环形结构，所述中心华司的中空部分正对所述振膜的避让凹槽设置，并且所述华司的中空部分的正投影区域与所述振膜的避让凹槽的正投影区域重叠。

此外，优选的方案是，所述中心华司为中空的环形结构，所述中心磁铁也为中空的环形结构，所述中心磁铁中空部分的正投影区域与所述中心华司中空部分的正投影区域重叠。

此外，优选的方案是，所述振膜的避让凹槽的纵向深度等于所述上壳凹槽结构的纵向深度。

此外，优选的方案是，所述上壳的凹槽结构与所述振膜的避让凹槽均设有过渡斜面，所述凹槽结构的过渡斜面与所述避让凹槽的过渡斜面平行。

此外，优选的方案是，所述振膜的避让凹槽和所述中心华司的内侧边缘均设有过渡斜面，所述避让凹槽的过渡斜面与所述中心华司的内侧边缘的过渡斜面平行。

此外，优选的方案是，所述支撑系统还包括中壳和下壳，所述中壳和下壳支撑固定所述磁路系统。

此外，优选的方案是，所述上壳包括塑料支架和与所述塑料支架注塑结合的钢片。

采用上述技术方案后，与传统结构相比，本实用新型的振膜和磁路系统配合前盖设置避让结构，在配合上壳结构防止部件碰撞的同时，保证了产品的正常工作，保证了微型扬声器的声学性能。

附图说明

通过下面结合附图对本实用新型进行描述，本实用新型的上述特征和技术优点将会变得更加清楚和容易理解。

图1是本实用新型实施例一微型扬声器的爆炸图；

图2是本实用新型实施例一微型扬声器的剖视图；

图3是本实用新型实施例二磁路系统的剖视图；

图4是本实用新型实施例二磁路系统的爆炸图。

具体实施方式