[实用新型]一种超薄硅膜有效
| 申请号： | 201420801221.4 | 申请日： | 2014-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN204257756U | 公开（公告）日： | 2015-04-08 |
| 发明（设计）人： | 张宇明 | 申请（专利权）人： | 昆山瑞坦纳新能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01M4/38 | 分类号： | H01M4/38;H01M4/1395;H01M4/134 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋;杨晞 |
| 地址： | 215300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 超薄 | ||
【权利要求书】：
1.一种超薄硅膜，其特征在于，所述超薄硅膜自下而上依次包括导电基底层、硅膜层和钝化层。
2.根据权利要求1所述的超薄硅膜，其特征在于，所述硅膜层的厚度为10nm-1000nm。
3.根据权利要求1或2所述的超薄硅膜，其特征在于，所述导电基底层为铜层、镍层、铁层、铜镍层、铜铁层、镍铁层或铜镍铁层。
4.根据权利要求1或2所述的超薄硅膜，其特征在于，所述导电基底层的厚度为10μm-100μm。
5.根据权利要求1或2所述的超薄硅膜，其特征在于，所述钝化层为Al2O3层、TiO2层、ZnO层、MgO层或SnO2层。
6.根据权利要求1或2所述的超薄硅膜，其特征在于，所述钝化层的厚度为0.1nm-5nm。
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