[实用新型]阵列基板及显示装置有效
申请号: | 201420802355.8 | 申请日: | 2014-12-16 |
公开(公告)号: | CN204230241U | 公开(公告)日: | 2015-03-25 |
发明(设计)人: | 何宗泽;王健铭;孟智明;胡巍浩 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L21/77;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 李相雨 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 显示装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及显示领域,尤其涉及一种阵列基板及显示装置。
背景技术
随着微电子技术的发展,各种传感器都可以通过微电子工艺进行集成,其中以硅基微机电技术为代表的集成器件尤为突出,但是传统的硅基器件在系统级设计中依然是一个独立的物理模块,这对提高整机系统的集成度,缩小体积依然会造成影响。
目前微电子领域中跟随着摩尔定律,器件的特征尺寸已经进入了14纳米的时代,但是一些无源器件的集成却不如有源器件那样简单,天线作为无源器件是电子电路领域不可或缺的组成部分,对于无线通讯终端,天线通常集成在其中PCB电路板的硅基衬底上,但是,由于硅衬底的半导体性质导致天线工作时会有衬底损耗,且天线所占硅片面积较大,不利于无线通讯终端向轻薄的方向发展,从而在一定程度上限制了硅基片上天线的使用。
实用新型内容
(一)要解决的技术问题
本实用新型要解决的技术问题是提供一种阵列基板及显示装置,能够减小显示装置的体积。
(二)技术方案
为解决上述技术问题,本实用新型的技术方案提供了一种阵列基板,包括衬底基板,所述衬底基板上设置有栅极、栅极绝缘层、有源层和源漏极,所述衬底基板上还设置有用于接收和/或发送无线信号的天线。
进一步地,所述天线与所述栅极同层设置。
进一步地,还包括位于所述天线上的第一绝缘层以及位于所述第一绝缘层上的信号线,所述第一绝缘层上设置有通孔,所述信号线通过所述通孔与所述天线相连。
进一步地,所述第一绝缘层与所述栅极绝缘层同层设置,所述信号线与所述源漏极同层设置。
进一步地,所述通孔中还设置有连接层,所述信号线通过所述连接层与所述天线相连,所述连接层与所述阵列基板中源漏极与有源层之间的缓冲金属层同层设置。
进一步地,所述天线的图形形状为螺旋状。
为解决上述技术问题,本实用新型还提供了一种显示装置,包括上述任一的阵列基板。
(三)有益效果
本实用新型通过将天线设置在阵列基板的衬底基板上,从而将天线直接集成在显示面板中,不但能够减小显示装置中PCB电路板的面积,还能充分利用阵列基板中的空余面积,从而提高显示装置的集成度,缩小显示装置的整体体积,此外,将天线制备于玻璃基板上,由于玻璃基板的绝缘性质使得天线的衬底损耗非常小,从而提高了天线的品质。
附图说明
图1是本实用新型实施方式提供的一种阵列基板的示意图;
图2是本实用新型实施方式提供的一种天线的结构示意图;
图3是本实用新型实施方式提供的在阵列基板中形成天线的图形的流程图;
图4是本实用新型实施方式提供的制作阵列基板的流程图;
图5-11是本实用新型实施方式提供的制作阵列基板的示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例,对本实用新型的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本实用新型,但不用来限制本实用新型的范围。
本实用新型实施方式提供了一种阵列基板,该阵列基板包括衬底基板,所述衬底基板上设置有栅极、栅极绝缘层、有源层和源漏极,此外,所述衬底基板上还设置有用于接收和/或发送无线信号的天线。
图1是本实用新型实施方式提供的一种阵列基板的示意图,该阵列基板包括衬底基板1,所述衬底基板1的显示区域上依次设置有栅极2a、栅极绝缘层3a、有源层4、源漏极6a以及有源层4与源漏极6a之间的缓冲金属层5a,衬底基板1的非显示区域上依次设置有天线2b、第一绝缘层3b和信号线6b,其中,信号线6b通过第一绝缘层3b上的通孔与天线2b相连。
其中,上述的衬底基板1可以为玻璃基板,天线的形状可以为任意形状,优选地,为了提高空间利用率并增强天线的信号接收效果,所述天线2b的图形形状为如图2所示的螺旋状。
本实用新型实施方式提供的阵列基板,通过将天线设置在阵列基板的衬底基板上,从而将天线直接集成在显示面板中,不但能够减小显示装置中PCB电路板的面积,还能充分利用阵列基板中的空余面积,从而提高显示装置的集成度,缩小显示装置的整体体积,此外,将天线制备于玻璃基板上,由于玻璃基板的绝缘性质使得天线的衬底损耗非常小,从而提高了天线的品质。
优选地,在上述实施方式中,所述天线与所述栅极可同层设置,即天线2b与栅极2a为相同材料且在一次构图工艺中形成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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