[实用新型]带焊丝线圈凹槽的晶片座有效
申请号: | 201420803116.4 | 申请日: | 2014-12-18 |
公开(公告)号: | CN204424239U | 公开(公告)日: | 2015-06-24 |
发明(设计)人: | 黄根友 | 申请(专利权)人: | 无锡科诺达电子有限公司 |
主分类号: | H01L23/13 | 分类号: | H01L23/13;H01L23/488 |
代理公司: | 苏州广正知识产权代理有限公司 32234 | 代理人: | 刘述生 |
地址: | 江苏省无锡市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 焊丝 线圈 凹槽 晶片 | ||
技术领域
本实用新型涉及晶片座领域,特别是涉及一种带焊丝线圈凹槽的晶片座。
背景技术
半导体或芯片是由硅生产出来的。晶圆片上刻蚀出数以百万计的晶体管,这些晶体管比人的头发要细小上百倍。半导体通过控制电流来管理数据,形成各种文字、数字、声音、图象和色彩。它们被广泛用于集成电路,并间接被地球上的每个人使用。这些应用有些是日常应用,如计算机、电信和电视,还有的应用于先进的微波传送、激光转换系统、医疗诊断和治疗设备、防御系统和NASA航天飞机。而作为承载晶片的载体,晶片座在实际加工中也是相当重要的部件,但传统的晶片座在与晶片焊合时粘合度不够,很容易造成两者脱离,并且焊合时锡液会溢出晶片座带来一定的问题。
实用新型内容
本实用新型主要解决的技术问题是提供一种带焊丝线圈凹槽的晶片座,能够增加晶片与晶片座在焊合时的粘合度,环形线圈式的结构和增设的凸焊点大大提高了接触范围,同时焊合时多余锡液能落入线圈凹槽内而不会溢出晶片座。
为解决上述技术问题,本实用新型采用的一个技术方案是:提供一种带焊丝线圈凹槽的晶片座,包括晶片座本体,所述晶片座本体上端面上开设有线圈凹槽,所述线圈凹槽为封闭型多圈环形结构,所述线圈凹槽内嵌入线圈丝,所述线圈丝上设有凸焊点。
在本实用新型一个较佳实施例中,所述线圈凹槽上的环形槽体之间间距相同。
在本实用新型一个较佳实施例中,所述凸焊点等间距分布设置于所述线圈丝上。
在本实用新型一个较佳实施例中,所述凸焊点高度凸出高于所述线圈凹槽端面高度设置。
本实用新型的有益效果是:本实用新型能够增加晶片与晶片座在焊合时的粘合度,环形线圈式的结构和增设的凸焊点大大提高了接触范围,同时焊合时多余锡液能落入线圈凹槽内而不会溢出晶片座。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其它的附图,其中:
图1是本实用新型带焊丝线圈凹槽的晶片座一较佳实施例的结构示意图;
附图中各部件的标记如下: 1、晶片座本体; 2、线圈凹槽; 3、线圈丝; 4、凸焊点。
具体实施方式
下面将对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅是本实用新型的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本实用新型保护的范围。
请参阅图1,本实用新型实施例包括:
一种带焊丝线圈凹槽的晶片座,包括晶片座本体1,所述晶片座本体1上端面上开设有线圈凹槽2,所述线圈凹槽2为封闭型多圈环形结构,所述线圈凹槽2内嵌入线圈丝3,所述线圈丝3上设有凸焊点4。
另外,所述线圈凹槽2上的环形槽体之间间距相同。
另外,所述凸焊点4等间距分布设置于所述线圈丝3上。
另外,所述凸焊点4高度凸出高于所述线圈凹槽2端面高度设置。
本实用新型的工作原理为在晶片座本体1上端面上开设线圈凹槽2,线圈凹槽2为封闭型多圈环形结构,线圈凹槽2上的环形槽体之间间距相同,线圈凹槽2内嵌入线圈丝3,线圈丝3上设有凸焊点4,凸焊点4等间距分布设置于线圈丝3上,凸焊点4高度凸出高于线圈凹槽2端面高度设置,在将晶片和晶片座本体1焊合时,只要将晶片对准线圈凹槽2焊合即可,此时多圈结构的线圈凹槽2和多个凸焊点4增加了与晶片的接触范围,使得晶片与晶片座本体1的粘合度大大提高,同时焊合时多余锡液能落入线圈凹槽2内而不会溢出晶片座本体1。
以上所述仅为本实用新型的实施例,并非因此限制本实用新型的专利范围,凡是利用本实用新型说明书内容所作的等效结构或等效流程变换,或直接或间接运用在其它相关的技术领域,均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡科诺达电子有限公司;,未经无锡科诺达电子有限公司;许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201420803116.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体芯片的包埋式板级封装结构
- 下一篇:一种高压熔断器