[实用新型]电磁阀和低功耗电磁阀有效

专利信息
申请号: 201420804051.5 申请日: 2014-12-17
公开(公告)号: CN204647502U 公开(公告)日: 2015-09-16
发明(设计)人: 陶国良;陈飞飞;张策;翁之旦 申请(专利权)人: 宁波华液工业控制技术有限公司
主分类号: F16K31/06 分类号: F16K31/06
代理公司: 宁波理文知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 33244 代理人: 尹飞宇;孟湘明
地址: 315131 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 电磁阀 功耗
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及一种电磁阀。本实用新型还进一步涉及一种向电磁阀供应电力的方法。

背景技术

电磁阀是电磁控制的工业设备,是用来控制流体的自动化基础元件。电磁阀一般包括密封的腔室,开设在腔室不同位置的油孔,设置于腔室中部的活塞以及设置于活塞两侧的电磁铁。电磁铁一般包括衔铁以及线圈,通过控制线圈上电流的大小或者通断进而控制衔铁位移来控制阀体移动,阀体移动使得不同的油孔开启或关闭从而通过油压推动油缸动作。

现有的电磁阀均采用简单结构的线圈和衔铁使得电磁铁的功率较大、线圈发热大。

电磁阀是常见的用于控制流体的流动方向、流动速度或其他参数的机械设备。电磁阀多需要使用电能和通过控制电磁阀控制线圈中的电流大小或通断来实现流体控制。

现有的电磁阀具有诸多缺陷。首先,常见的工业电磁阀的结构决定了其具有较大的功耗,而现有电磁阀的维持运行电压在整个工作期间的保持不变决定了电磁阀的高能耗。其次,现有电磁阀的长时间使用和通电会使电磁阀的控制线圈产生大量的热量,和导致控制线圈的温度升高,电阻变大和电流变小。再次,现有的电磁阀的启动可靠性差,流体的动力,毛刺,颗粒物容易导致电磁阀的阀芯被卡住和无法启动。还有,现有的电磁阀的交流波动大,使用交变电流容易引起输出力的抖动。另外,现有电磁阀的阀芯的移动不到位会使控制线圈的感抗变小和通过该控制线圈的电流变大,甚至导致控制线圈中的电流超过允许通过最大电流,以致使该控制线圈被烧坏。最后,现有的电磁阀的涡流损耗大,工作效率低。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题在于,针对现有技术的上述不足,提出一种不改变原有电磁阀结构且功耗降低、发热减小的低功耗电磁阀。

本实用新型解决其技术问题采用的技术方案是,提出一种低功耗电磁阀,其包括阀体,设置于阀体内的阀芯,设置于阀芯两侧的推杆以及围绕推杆设置的弹簧,推杆外侧均设置有电磁铁,阀体底面设置有与阀芯连通的两个进油口与两个出油口;所述电磁铁包括磁芯管、围绕磁芯管外围设置的线圈、将线圈包覆的磁轭以及用于给线圈提供电流的接线组 件;所述磁芯管内部设置有衔铁,衔铁与推杆抵顶以推动阀芯移动;所述接线组件与线圈之间还设置有电路控制模块,所述电路控制模块包括输入模块、降压模块、延时切换模块以及输出模块;所述输入模块从接线组件接入的初始电压一路经过降压模块降压后输入至延时切换模块,另一路直接输入至延时切换模块;延时切换模块接收初始电压和降压电压后,先输出初始电压值至输出模块以带动电磁铁开启;电磁铁开启后,延时切换模块延时预设时间后将输出电压切换至降压电压。

进一步地,所述电路控制模块还包括降压电流检测模块与浪涌电流抑制模块;所述降压电流检测模块与延时切换模块相连,用于检测延时切换模块输出的降压电流的电流值,该降压电流通过浪涌电流抑制模块反馈至降压模块,降压模块根据该降压电流值判断输入至延时切换模块的降压电压是否符合要求;所述浪涌电流抑制模块用于防止降压电流检测模块输出的降压电流值突变而引起降压模块误动作。

进一步地,还包括整流电路,设置于输入模块与降压模块之间。

进一步地,还包括过温保护模块、防振荡模块以及短路保护模块;所述过温保护模块与降压模块双向连接,用于防止降压模块温度过高;所述防振荡模块设置于延时切换模块与输出模块之间,用于防止延时切换输出模块输出电压波动;所述短路保护模块与降压电流检测模块相连,用于防止电路短路。

进一步地,所述降压模块、降压电流检测模块、浪涌电流抑制模块、过温保护模块、防振荡模块以及短路保护模块集成于XL2009芯片及外围电路中;所述外围电路包括电感LUMOS管Q1、电容Cl、电容C2、电容C3、电容C4、二极管D1、二极管D2、二极管D3、电阻R1、电阻R2、电阻R3以及电阻R4;电感LI一端接入XL2009芯片第五端口、第六端口以及二极管D2反向端,另一端分别接入电容C3第一端、二极管D3反向端以及输出降压电压;二极管D2正向端分别接入C3第二端以及二极管D3正向端;初始电压接入XL2009芯片第四端口并分别接入电容C2和电容C4第一端;电容C4第二端接入XL2009芯片第三端口;电阻R2一端接入XL2009芯片第四端口,另一端分别接入电容Cl第一端、电阻R3第一端、二极管Dl反向端以及MOS管Ql栅极;二极管Dl正向端、电阻R3第二端、电容Cl第二端以及MOS管源级均接地;M0S管Ql漏极接入电容C2第二端;XL2009芯片第二端通过电阻Rl接入初始电压;XL2009芯片第一端通过电阻R4输出降压电压。

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