[实用新型]一种基于改进型互补开环谐振器的双频带滤波器有效
申请号: | 201420804625.9 | 申请日: | 2014-12-17 |
公开(公告)号: | CN204271222U | 公开(公告)日: | 2015-04-15 |
发明(设计)人: | 闫腾飞;郭映江;唐小宏;卢頔 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01P1/20 | 分类号: | H01P1/20;H01P1/205 |
代理公司: | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人: | 张杨 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 改进型 互补 开环 谐振器 双频 滤波器 | ||
1.一种基于改进型互补开环谐振器的双频带滤波器包括:半模基片集成波导、2个互补开环谐振器、2个交指电容结构;其中2个互补开环谐振器顺着信号波传播方向设置于半模基片集成波导上,每个互补开环谐振器内各设置一个交指电容结构。
2.如权利要求1所述的一种基于改进型互补开环谐振器的双频带滤波器,其特征在于所述半模基片集成波导包括介质基片,设置于介质基片上表面的上金属片、设置于介质基片下表面的下金属片,上、下金属片形状大小一致,为“T”形结构,两侧为信号波输入、输出端口,底端设置有连通上、下金属片的金属化通孔;互补开环谐振器和交指电容结构都设置于上金属片上;所述互补开环谐振器为金属片上刻蚀出的有开口的正方形环状结构,开口为远离半模基片集成波导金属化通孔的一边的中间位置;所述交指电容结构为金属片上刻蚀出的方波状结构,其波形运动方向与半模基片集成波导内信号波传播方向一致。
3.如权利要求1所述的一种基于改进型互补开环谐振器的双频带滤波器,其特征在于所述半模基片集成波导的介质基片介电常数3.5,厚度0.508mm;“T”形结构的上、下金属片的输入、输出端宽1.54mm,金属化通孔直径为0.6mm、间距为1.5mm;所述互补开环谐振器刻蚀宽度为0.2mm、开口宽度为0.3mm、外边长3.6mm,与金属化通孔距离的边距离金属化通孔的中心的距离为1.27mm,距离“T”形结构上边沿最近的边与上边沿的距离为0.5mm,距离“T”形结构中柱侧边的最近边与“T”形结构中柱侧边相距0.7mm,两个互补开环谐振器的距离最近的两边相距2.57mm,所述交指电容为金属片上刻蚀出的方波状结构,刻蚀宽度为0.15mm,具有3个波峰和3个波谷,波动幅度为2.25mm,波峰之间为被刻蚀的金属条宽度为0.25mm,波谷的底边与互补开环谐振器的内边距离为0.425mm,沿着波导内信号波传播方向第一个交指电容结构首先是波峰,第二个交指电容结构首先为波谷,位于波谷端交指电容结构与互补开环谐振器所夹的未被刻蚀的金属片宽度为0.23mm。
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