[实用新型]一种清洗黑硅电池片的装置有效
| 申请号： | 201420815906.4 | 申请日： | 2014-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN204315535U | 公开（公告）日： | 2015-05-06 |
| 发明（设计）人： | 罗西佳;蒋仙;吴而义;李华;范琼;刘林华 | 申请（专利权）人： | 无锡德鑫太阳能电力有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L31/18 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 清洗 电池 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种清洗黑硅电池片的装置，其特征在于：包括金属工作槽（1）、坩埚（2）超声波发生器（5），所述坩埚（2）位于长方体形金属工作槽（1）内部；所述金属工作槽（1）底部设有多个超声波发生器（5）；所述金属工作槽（1）与坩埚（2）之间设有间隙。
2.根据权利要求1所述的一种清洗黑硅电池片的装置，其特征在于：所述超声波发生器（5）至少4个以上。
3.根据权利要求1所述的一种清洗黑硅电池片的装置，其特征在于：所述坩埚（2）中盛放硝酸溶液用于清洗黑硅电池片（4）。
4.根据权利要求1所述的一种清洗黑硅电池片的装置，其特征在于：所述坩埚（2）内部可放置多个硅片承载盒（3）。
5.根据权利要求4所述的一种清洗黑硅电池片的装置，其特征在于：所述坩埚（2）与硅片承载盒（3）之间设有间隙。
6.根据权利要求4所述的一种清洗黑硅电池片的装置，其特征在于：所述硅片承载盒（3）完全浸没于硝酸清洗液中。
7.根据权利要求4所述的一种清洗黑硅电池片的装置，其特征在于：所述硅片承载盒（3）至少有4个以上。
8.根据权利要求1所述的一种清洗黑硅电池片的装置，其特征在于：所述金属工作槽（1）中盛放水作为超声波传导介质。
9.根据权利要求1所述的一种清洗黑硅电池片的装置，其特征在于：所述金属工作槽（1）的外壳为不锈钢外壳。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
