[实用新型]一种细节距钎料柱凸点互连结构

权利要求书

1.一种细节距钎料柱凸点互连结构，其特征在于：该结构包括一个芯片基底(1)，芯片基底(1)上部至少有一个钎料柱凸点，钎料柱凸点包括钎料柱(6)、钎料球(8)和凸点下金属层(4)，钎料球(8)与钎料柱(6)顶部相连，凸点下金属层(4)与钎料柱(6)底部连接，芯片基底(1)顶部连接有金属焊盘(2)，凸点下金属层(4)下部与金属焊盘(2)连接；钎料柱(6)的熔点高于200度，高度大于5微米，钎料球(8)熔点小于180度，形成钎料球(8)的回流温度不高于200度。

2.根据权利要求1所述一种细节距钎料柱凸点互连结构，其特征在于：所述芯片基底(1)是硅、锗硅、砷化镓、绝缘体上硅SOI半导体材料或玻璃、陶瓷、蓝宝石绝缘材料中的一种。

3.根据权利要求1所述一种细节距钎料柱凸点互连结构，其特征在于：所述钎料柱(6)为锡、锡-银、锡-铜钎料中的一种。

4.根据权利要求1所述一种细节距钎料柱凸点互连结构，其特征在于：所述钎料球(8)为铟、铟-银、锡-铟、锡-铋、锡-铟-铋、锡-铟-银钎料中的一种。

5.根据权利要求1所述一种细节距钎料柱凸点互连结构，其特征在于：所述凸点下金属层(4)是钛-铜或者钛-钨-铜材料。

6.根据权利要求1所述一种细节距钎料柱凸点互连结构，其特征在于：所述钎料柱(6)和钎料球(8)之间有一层金属阻挡层，所述金属阻挡层为钛、钯、锰、镍、铁、铬材料中一种，厚度大于0.1微米，小于5微米。