[实用新型]一种由太赫兹波调控的超晶格器件结构

权利要求书

1.一种由太赫兹波调控的超晶格器件结构，其特征在于，所述器件结构至少包括：

半导体超晶格器件；所述半导体超晶格器件至少包括：衬底及位于该衬底上且由势垒和势阱交替堆叠构成的周期性结构；位于所述周期性结构上表面的重掺杂接触层以及位于该重掺杂接触层上表面的上电极；位于所述衬底上的下电极；

所述器件结构还包括：连接于所述半导体超晶格器件上、下电极且与所述半导体超晶格器件构成闭合回路的电阻、施加于所述半导体超晶格器件中超晶格生长方向的太赫兹波以及施加于垂直于所述超晶格生长方向的磁场。

2.根据权利要求1所述的由太赫兹波调控的超晶格器件结构，其特征在于：所述势垒由Al_0.3Ga_0.7As构成；所述势阱由GaAs构成；所述周期性结构的周期数为100。

3.根据权利要求2所述的由太赫兹波调控的超晶格器件结构，其特征在于：所述周期性结构为N型掺杂结构，并且所述周期性结构两端的掺杂浓度在超晶格生长方向上呈梯度渐变。

4.根据权利要求3所述的由太赫兹波调控的超晶格器件结构，其特征在于：所述周期性结构在靠近衬底处的掺杂浓度在超晶格生长方向上呈递减。

5.根据权利要求3所述的由太赫兹波调控的超晶格器件结构，其特征在于：所述周期性结构在靠近上电极处的掺杂浓度在超晶格生长方向上呈递增。

6.根据权利要求3所述的由太赫兹波调控的超晶格器件结构，其特征在于：所述势垒的宽度为2.8nm；所述势阱的宽度为6.2nm。

7.根据权利要求1所述的由太赫兹波调控的超晶格器件结构，其特征在于：所述衬底和所述重掺杂接触层为n⁺-GaAs。

8.根据权利要求1所述的由太赫兹波调控的超晶格器件结构，其特征在于：所述上电极和所述下电极为Au-Ge-Ni合金。

9.根据权利要求3所述的由太赫兹波调控的超晶格器件结构，其特征在于：所述半导体超晶格器件的微带宽度为22meV。

10.根据权利要求4或5所述的由太赫兹波调控的超晶格器件结构，其特征在于：所述衬底的掺杂浓度为2×10¹⁸cm^-3；所述半导体超晶格器件除去两端的中央区域的掺杂浓度为1×10¹⁴cm^-3。