[实用新型]一种新型反熔丝元件

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种新型反熔丝元件，适用于电气元件设计领域。

背景技术

传统半导体器件包括一个调整电路，以用于冗余电路的设置或电阻值调整。所述调整电路使用如熔丝类的元件来改变电路的通电或断电状态，从而响应供应电压或电流。然而，对于这种调整电路，熔丝中的熔断部分难以保证足够的绝缘距离，甚至出现熔断部分随时间推移而重新连接的情况。因此提出了一种当被施加了一定值以上的电压时就短路而使电流流过的反熔丝元件。

传统的反熔丝元件包括两个导体，导体之间设置有绝缘膜。在所述反熔丝元件中，需要在导体上施加能击穿绝缘膜的高电压来实现稳定的短路状态。因此，半导体器件中需要使用与所述高电压对应的元件和控制电路，从而增大了半导体器件的尺寸。

实用新型内容

针对上述问题，本实用新型的目的是提供一种新型反熔丝元件，通过改善传统反熔丝结构来降低所需击穿电压值，从而解决传统半导体器件尺寸过大的问题。

为解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案是：一种新型反熔丝元件，包括第一导体、绝缘膜、第二导体、第一插塞、第二插塞、第三插塞和盖膜；其中所述绝缘膜设置于第一导体上；所述第二导体设置于绝缘膜上，优选为多晶硅；所述第一插塞耦合到第一导体；所述第二插塞和第三插塞耦合到第二导体；所述盖膜设置于第二导体上，优选为氮化硅膜，且比绝缘膜有更大的抗拉强度。

所述第二导体包括长方形的连接片以及连接片两端上的矩形接线端子，其中所述连接片向下延伸、穿过所述绝缘膜并连接到第一导体，从而所述第一插塞通过连接片连接第二插塞和第三插塞。

所述盖膜至少接触所述第二导体的上表面，但不接触所述第二导体的下表面。进一步地，所述绝缘膜接触所述第一导体的上表面和第二导体的下表面，其中所述盖膜接触所述第二导体除下表面外的所有表面。

进一步地，所述反熔丝元件还包括第一接触孔；其中所述第一接触孔从其上表面延伸到所述第一导体上表面，其内部设置所述第一插塞；所述第二接触孔从其上表面分别延伸到所述第二导体的接线端子，其内部分别设置所述第二插塞、第三插塞。

进一步地，所述反熔丝元件还包括半导体基板、绝缘区和夹层绝缘膜；其中所述半导体基板设置于第一导体下面；所述绝缘区设置于半导体基板上，从而使所述第一导体与其他半导体基板上的元件电隔离；所述夹层绝缘膜设置于盖膜上，优选为氧化硅膜，且上表面优选为平面，夹层绝缘膜上表面可设置线层。

优选地，所述绝缘膜的厚度为18nm；所述盖膜的厚度为30nm。

优选地，所述第二导体的连接片的长度为2μm，宽度为1.2μm，厚度为400nm。

优选地，所述第一导体的宽度为1.5μm。

本实用新型的有益效果是：所需击穿电压值较低，不需要在半导体器件中设置额外的元件和控制电路，从而减小了半导体器件的尺寸；可以连续保持电路通电或断电的状态；结构简单，降低了制造成本。

附图说明

图1是本实用新型熔断器的平面示意图。

图2是本实用新型图1沿剖线A-A的剖视图。

图3是本实用新型图1沿剖线B-B的剖视图。

其中，10-半导体器件；11-反熔丝元件；21-半导体基板；22-第一导体；23-绝缘区；24-绝缘膜；25-第二导体；25a-连接片；25b、25c-接线端子；26-盖膜；27-夹层绝缘膜；28a、28b、28c-接触孔；29a、29b、29c-插塞。

具体实施方式

结合附图，对实用新型作进一步详细说明。

参见图1、图2，本实施例反熔丝元件11设置于半导体器件10上，包括第一导体22和第二导体25，其中所述第二导体25设置于第一导体22上并与第一导体22部分重叠。所述第一导体22上面设有绝缘膜24，下面设有半导体基板21，侧边设有绝缘区23，其中绝缘区23使第一导体22与其他半导体基板21上的元件电隔离。所述绝缘膜24上面设有第二导体25和盖膜26，盖膜26上设有夹层绝缘膜27；其中所述第二导体25包括长方形连接片25a以及连接片25a两端上的矩形接线端子25b、25c；所述盖膜26覆盖第二导体25的上表面及侧边，优选为氮化硅膜，且比绝缘膜24有更大的抗拉强度；所述夹层绝缘膜27优选为氧化硅膜，其上表面优选为平面。