[实用新型]一种微聚光增效光伏焊带有效
申请号: | 201420822404.4 | 申请日: | 2014-12-23 |
公开(公告)号: | CN204289484U | 公开(公告)日: | 2015-04-22 |
发明(设计)人: | 肖笛;谭伟 | 申请(专利权)人: | 上海华友金裕微电子有限公司 |
主分类号: | H01L31/05 | 分类号: | H01L31/05;H01L31/054 |
代理公司: | 常州市科谊专利代理事务所 32225 | 代理人: | 孙彬 |
地址: | 201700 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 聚光 增效 光伏焊带 | ||
技术领域
本实用新型涉及太阳能光伏焊带技术领域,具体涉及一种微聚光增效光伏焊带。
背景技术
目前,光伏焊带是将太阳电池连接成串的关键辅料,太阳电池通过焊带连接后形成一个完整的电气通路,光能通过太阳能电池转化为电能,产生的电流通过焊带形成传输电路,为利用太阳能提供通路基础。现有普通焊带经过焊接后表面较为平坦,进入组件的光线入射到平坦的焊带表面,通过镜面反射出去无法被利用,入射光的利用率很低;为了提高利用率,目前存在一些特殊的异型焊带,表面加工成一定的反光沟槽结构,表面反光沟槽的夹角 Φ1 呈111°~137°,表面的反光镀层为Ag等高反射率高熔点贵金属,表面的镀层通常为1~5μm,当光入射到沟槽结构经过一定角度沟槽结构的反射,再经过玻璃、空气界面的二次反射到达电池片表面,被再次利用,从而提高了入射光的利用率。
在申请号为201320775180.1的中国专利公开了一种微聚光增效光伏焊带,它包括基带和设置在基带受光面上的反射镀层,基带的背光面为平整表面,基带的受光面上设置有多个凸起的倒V型锯齿,并且基带的受光面上在相邻的倒V型锯齿之间设置有向背光面侧凹进并且用来储存重熔后反射镀层材料的储存槽,倒V型锯齿的夹角β为106°~137°。本实用新型充分考虑了焊接后反射镀层在重熔后的表面形貌的变化,增加焊带的有效聚光区域,从而提高光伏组件功率。
实用新型内容
本实用新型的目的是为了弥补现有技术的不足,提供了一种可提高入射光利用率、提高光伏组件功率的微聚光光伏焊带。
为了达到本实用新型的目的,技术方案如下:
一种微聚光增效光伏焊带,包括基带和设置在所述基带受光面上的反射镀层,基带的背光面为平面,其特征在于,所述基带受光面上设置有多个凸出的凸起,所述凸起的表面为弧形,所述凸起之间有间距,所述凸起之间的最短间距小于或者等于凸起底部之间的间距。
进一步,所述凸起之间的最短间距小于凸起底部之间的间距。
进一步,所述凸起为半球形。
进一步,所述凸起的高度为80~140μm,所述凸起的宽度为80~160μm,所述凸起之间的最短间距为50~70μm,所述凸起底部之间的间距为50~90μm。
本实用新型具有的有益效果:
基带受光面上设置有多个凸出的凸起,凸起的表面为弧形,相比表面为平面或者只是锯齿形的斜面,弧形有更广的反射范围,可将入射光往各个角度反射,经玻璃再被反射到基带的受光面上,提高了入射光的利用率。
并且通过设置特殊的结构和尺寸,在凸起的下部,当某个角度入射进来的太阳光经第一次反射后反射到凸起靠下端的弧形球面上,又会反射到相邻的另一个凸起靠下端的弧形球面上,最终又反射到焊带的受光面上,不会反射出去,进一步提高了入射光的利用率,进而提高了光伏组件的功率。
附图说明
图1为本实用新型微聚光光伏焊带使用时光反射的结构示意图;
图2为本实用新型微聚光光伏焊带实施例1的结构示意图;
图3为本实用新型微聚光光伏焊带实施例2的结构示意图;
图4为本实用新型微聚光光伏焊带实施例3的结构示意图。
具体实施方式
下面结合实施例对本实用新型作进一步描述,但本实用新型的保护范围不仅仅局限于实施例。
如图1和图2所示,一种微聚光增效光伏焊带,包括基带1和设置在所述基带1受光面上的反射镀层,基带1的背光面为平面,基带1受光面上设置有多个凸出的凸起2,凸起2的表面为弧形,相比表面为平面或者只是锯齿形的斜面,弧形有更广的反射范围,可将入射光往各个角度反射,进一步提高入射光的利用率。弧形的凸起2之间有间距,且凸起2之间的最短间距小于或者等于凸起2底部之间的间距。
凸起2的高度为80~140μm,凸起2的宽度为80~160μm,凸起2之间的最短间距为50~70μm,所述凸起2底部之间的间距为50~90μm。
继续结合图2、图3和图4所示,分别为本实用新型的三种实施例,实施例1的图2中,弧形凸起2体积小于半球形;实施例2的图3中,弧形凸起2体积等于半球形体积,即凸起2为半球形的结构;图2和图3中,凸起2之间的最短间距等于凸起2底部之间的间距。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的