[实用新型]一种射频功率放大器高次谐波抑制电路有效
| 申请号： | 201420838245.7 | 申请日： | 2014-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN204290884U | 公开（公告）日： | 2015-04-22 |
| 发明（设计）人： | 马建国;成千福;朱守奎 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H03F1/02 | 分类号： | H03F1/02;H03F3/20;H03F3/189 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 李丽萍 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 射频 功率放大器 谐波 抑制 电路 | ||
1.一种射频功率放大器高次谐波抑制电路，包括晶体管，高次谐波抑制电路和输出匹配电路，其特征在于：
所述高次谐波抑制电路位于晶体管和输出匹配电路之间；所述输出匹配电路位于高次谐波抑制电路和负载之间；
所述高次谐波抑制电路采用低通滤波器或带通滤波器实现高次谐波抑制。
2.根据权利要求1所述射频功率放大器高次谐波抑制电路，其特征在于，所述输出匹配电路包含基波匹配电路和直流偏置电路。
3.根据权利要求1所述射频功率放大器高次谐波抑制电路，其特征在于，所述低通滤波器由一对结构对称的并联耦合线和一个并联的电容Cs构成，通过调节藕合线的尺寸和选取电容CS的电容量，在阻带内形成3个有限的传输极点，阻带内的插损为30dB以上，低频段的通频带内的插损最低为0.07dB。
4.根据权利要求3所述射频功率放大器高次谐波抑制电路，其特征在于，所述高次谐波抑制电路实现抑制的高次谐波至少大于等于二次。
5.根据权利要求4所述射频功率放大器高次谐波抑制电路，其特征在于，所述高次谐波抑制电路实现抑制的高次谐波至少大于等于三次；射频功率放大器的基波频率在所述低通滤波器或带通滤波器的通带内，所有谐波频率分量在所述滤波器的阻带内。
6.根据权利要求5所述射频功率放大器高次谐波抑制电路，其特征在于，所述高次谐波抑制电路实现抑制的高次谐波为三至六次。
7.根据权利要求4所述射频功率放大器高次谐波抑制电路，其特征在于：
所述晶体管的栅极连接输入匹配电路，所述输入匹配电路连接有栅极直流偏置电路和稳定电路；
所述高次谐波抑制电路为三至六次谐波抑制电路；
所述晶体管的漏极与高次谐波抑制电路之间设有漏极直流偏置电路和二次谐波抑制电路。
8.根据权利要求7所述射频功率放大器高次谐波抑制电路，其特征在于：
所述输入匹配电路设置在输入端与晶体管之间，所述输入匹配电路由微带构成的单枝节匹配电路构成；
所述栅极直流偏置电路由波长为λ/4的传微带线和自谐振频率为基波频率f的电容构成，所述基波频率f的电容实现波长为λ/4的传微带线的交流短路；
所述稳定电路由在栅极直流偏置电路和输入匹配电路之间连接的电阻构成；
所述漏极直流偏置电路和二次谐波抑制电路由为λ/4的传微带线和自谐振频率为基波频率f的电容C1和二次谐波频率的电容C2构成，所述电容C1和电容C2并联连接在λ/4的传微带线的一端，λ/4的传微带线的另一端与所述输出匹配电路连接。
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