[实用新型]一种扇出型圆片级芯片正装封装结构有效

专利信息
申请号: 201420838565.2 申请日: 2014-12-24
公开(公告)号: CN204348703U 公开(公告)日: 2015-05-20
发明(设计)人: 石磊 申请(专利权)人: 南通富士通微电子股份有限公司
主分类号: H01L23/29 分类号: H01L23/29;H01L23/488
代理公司: 北京驰纳智财知识产权代理事务所(普通合伙) 11367 代理人: 蒋路帆
地址: 226004 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 扇出型圆片级 芯片 封装 结构
【权利要求书】:

1.一种扇出型圆片级芯片正装封装结构,包括金属镀层(2)、键合层(3)、芯片(8)和导电层(6);其特征在于:芯片(8)通过导线(9)连接键合层(3),芯片(8)和键合层(3)分别设置安装在金属镀层(2)上;导电层(6)位于金属镀层(2)下与金属镀层(2)连接。

2.根据权利要求1所述的一种扇出型圆片级芯片正装封装结构,其特征在于:所述芯片(8)正装固定于金属镀层(2)上。

3.根据权利要求1所述的一种扇出型圆片级芯片正装封装结构,其特征在于:还包括电介层(5)和塑封层(4);塑封层(4)包封芯片(8)、导电层(6)、导线(9)和电介层(5),电介层(5)位于塑封层(4)和金属镀层(2)之下;电介层(5)把金属层(6)分隔成不同区域。

4.根据权利要求3所述的一种扇出型圆片级芯片正装封装结构,其特征在于:塑封层4的材料采用酚醛树脂或者增强不饱和树脂类材料或者二者的混合材料。

5.根据权利要求1所述的一种扇出型圆片级芯片正装封装结构,其特征在于:导电层(6)采用铜或者铜的合金为材料。

6.根据权利要求5所述的一种扇出型圆片级芯片正装封装结构,其特征在于:导电层(6)连接金属镀层(2)并且导电层有一层或多层。

7.根据权利要求5所述的一种扇出型圆片级芯片正装封装结构,其特征在于:当导电层有多层时,多层导电层(6)相连形成导电线路。

8.根据权利要求7所述的一种扇出型圆片级芯片正装封装结构,其特征在于:导电层(6)位置处设置有金属球(7),通过焊接植入。

9.根据权利要求8所述的一种扇出型圆片级芯片正装封装结构,其特征在于:金属球(7)为锡球。

10.根据权利要求1所述的一种扇出型圆片级芯片正装封装结构,其特征在于:键合层(3)采用的材料为银或钯或其合金。

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