[实用新型]一种高可利用率抗辐射的SRAM自刷新电路有效
| 申请号： | 201420841070.5 | 申请日： | 2014-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN204423920U | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 李寅寅;王秋实;金林;郭二辉 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第三十八研究所 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 合肥金安专利事务所 34114 | 代理人： | 吴娜 |
| 地址： | 230088 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 利用率 辐射 sram 刷新 电路 | ||
1.一种高可利用率抗辐射的SRAM自刷新电路，其特征在于：包括定时计数器（3）、刷新控制器（2）和刷新地址计数器（1），定时计数器（3）的输出端与刷新控制器（2）的输入端相连，外接外部信号的刷新控制器（2）的输出端与刷新地址计数器（1）的输入端相连，刷新地址计数器（1）的输出端与SRAM存储阵列（4）的A、CSN、WEN端相连，SRAM存储阵列（4）的输出端Q端通过第三表决器与SRAM存储阵列（4）的D端相连。
2.根据权利要求1所述的高可利用率抗辐射的SRAM自刷新电路，其特征在于：所述定时计数器（3）包括至少3个定时寄存器，其输出端均与第一表决器的输入端相连，第一表决器的输出端分别与第一计数器（5）、刷新控制器（2）的第一输入端相连，刷新控制器（2）的第二输入端接外部片选信号CS_N，刷新控制器（2）的第三输入端接外部地址信号；所述刷新地址计数器（1）包括至少3个地址寄存器，其输入使能端EN和输入清零端均接刷新控制器（2）的输出端，其输出端均与第二表决器的输入端相连，第二表决器的输出端分别与非门电路（7）、第二计数器（6）、片选信号发生器的输入端相连；所述SRAM存储阵列（4）包括至少3个存储器，其WEN端均与非门电路（7）的输出端相连，其CSN端均与片选信号发生器的输出端相连，其A端均与第二表决器的输出端相连，其输出端Q端与第三表决器的输入端相连，第三表决器的输出端与各个存储器的D端相连。
3. 根据权利要求1所述的高可利用率抗辐射的SRAM自刷新电路，其特征在于：所述刷新控制器（2）采用组合逻辑电路。
4.根据权利要求2所述的高可利用率抗辐射的SRAM自刷新电路，其特征在于：所述定时寄存器、地址寄存器、存储器的个数一致，均为9个；所述第一、二、三表决器均为冗余表决器。
5.根据权利要求2所述的高可利用率抗辐射的SRAM自刷新电路，其特征在于：所述地址寄存器的高14位，即D14至D1位为刷新地址位，所述地址寄存器的最后一位即D0为读写控制位。
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