[实用新型]半导体功率元件

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种功率元件，具体地，涉及一种半导体功率元件。

背景技术

在功率元件应用中，电流通过元器件的阻抗便会产生热，此热能若不及时排除 便会造成元件温度升高之现象。元件温度升高，会使其中的阻抗跟着上升，进而产 生更多的热，如此周而复始，便容易使元件产生雪崩现象。一个好的功率元件封装， 必须能将元件运作时产生的热，及时导出、排除。然而，现有功率元件封装系列皆 存在散热效能不佳的情况。元件温度升高使其中的阻抗跟着上升，电能便会变成热 能的损耗，进而使电源转换效益降低，并且损害功率元件，使其变成耗能组件。

实用新型内容

针对现有技术中的缺陷，本实用新型的目的是提供一种半导体功率元件，其能 将运作时产生的热及时导出、排除，增加其散热效能，进而避免产生雪崩现象。

根据本实用新型的一个方面，提供一种半导体功率元件，其特征在于，包括闸极 引脚、集极引脚、源极引脚、功率芯片、第一散热基板、闸极、源极、第一引线、 第二引线、第二散热基板，集极引脚位于闸极引脚和源极引脚之间，第一散热基板 与集极引脚连接在一起，闸极、源极都位于功率芯片上，功率芯片位于第一散热基 板上，源极和第二散热基板之间通过一根第二引线连接，源极和源极引脚之间通过 另一根第二引线连接，闸极引脚和闸极之间通过第一引线连接，第二散热基板与源 极引脚连接在一起。

优选地，所述第一散热基板的一侧设有一块托板。

优选地，所述托板上设有散热孔。

优选地，所述第二引线的宽度大于第一引线的宽度。

与现有技术相比，本实用新型具有如下的有益效果：

一，本实用新型可将元件初始产生的热及时排除，保持元件在低温环境运行， 维持其固定阻抗及较高的电源转换效率。

二，本实用新型维持元件在低温运行避免雪崩现象以达到保护元件的功能，延 长元件的使用寿命。

三，本实用新型可及时把热能排除，使产品能在较大温度范围的环境里进行操 作。

四，稳定的元件阻抗可以产生较好的可靠性。

附图说明

通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本实用新型的其它 特征、目的和优点将会变得更明显：

图1为本实用新型半导体功率元件的结构示意图。

具体实施方式

下面结合具体实施例对本实用新型进行详细说明。以下实施例将有助于本领域的技 术人员进一步理解本实用新型，但不以任何形式限制本实用新型。应当指出的是，对本 领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和 改进。这些都属于本实用新型的保护范围。

如图1所示，本实用新型半导体功率元件包括闸极引脚1、集极引脚2、源极引 脚3、功率芯片4、第一散热基板5、闸极7、源极8、第一引线9、第二引线10、 第二散热基板11，集极引脚2位于闸极引脚1和源极引脚3之间，第一散热基板5 与集极引脚2连接在一起，闸极7、源极8都位于功率芯片4上，功率芯片4位于 第一散热基板5上，源极8和第二散热基板11之间通过一根第二引线10连接，源 极8和源极引脚3之间通过另一根第二引线10连接，闸极引脚1和闸极7之间通 过第一引线9连接，第二散热基板11与源极引脚3连接在一起。

第一散热基板5的一侧设有一块托板6，托板用于固定第一散热基板，另外可 以增加散热面积。

托板6上设有散热孔12，这样增加散热性能。

第二引线10的宽度大于第一引线9的宽度，这样可以将热能更多的传送到第 二散热基板上进行散热。

功率芯片表面金属及PN结(PN-junction)在半导体功率元件运作时产生的热能可 以由第一散热基板和集极引脚导出。另外，第二散热基板用于连接源极从而使功率芯 片表面金属及PN结(PN-junction)在半导体功率元件运作时产生的热能还可以经由此 处快速有效的导出，以达到功率元件不升温的目标，维持功率元件阻抗不变，避免雪崩 现象产生。

以上对本实用新型的具体实施例进行了描述。需要理解的是，本实用新型并不局限 于上述特定实施方式，本领域技术人员可以在权利要求的范围内做出各种变形或修改， 这并不影响本实用新型的实质内容。