[实用新型]像素结构和采用该像素结构的有机发光显示装置有效
申请号: | 201420844756.X | 申请日: | 2014-12-25 |
公开(公告)号: | CN204257653U | 公开(公告)日: | 2015-04-08 |
发明(设计)人: | 刘将;魏朝刚;刘巍 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 唐清凯 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 结构 采用 有机 发光 显示装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及有机发光显示技术领域,特别是涉及一种像素结构和采用该像素结构的有机发光显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic light-emitting diode,OLED)被誉为21世纪的平板显示和第三代显示技术,已成为当前国际上的一大研究热点。有机发光二极管具有驱动电压低、主动发光、视角宽、效率高、响应速度快、易实现全彩色大面积壁挂式显示和柔性显示的许多特点,同时具有制造成本低、功耗低等优点。
OLED屏体的发光层一般都是通过有机材料利用蒸镀成膜技术透过金属掩膜板在沉积基板上相应的像素位置形成有机发光元器件。OLED屏彩色化效果较好的像素排列方式是在每个像素单元有红、绿、蓝三个子像素,每个子像素具有独立的有机发光元器件。由于红、绿、蓝三种子像素的有机发光材料不同,在制作过程中,需要通过金属掩膜板在相应的位置上分别对红、绿、蓝三基色发光子像素蒸镀三种不同的有机材料,然后调节三种颜色组合的混色比,产生真彩色。如此,红、绿、蓝三色OLED元件独立发光构成一个像素单元。
一般地,在OLED像素结构中,像素单元包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素,其中,像素单元呈正方形,红色子像素和绿色子像素呈L型,蓝色子像素呈正方形,红色子像素和绿色子像素围住蓝色子像素。当上述像素结构在实现高PPI(Pixel Per Inch,像素每英寸),即物理分辨率时,蓝色像素与相邻的像素单元中的蓝色像素无法共用开口,使得开口率太小而无法满足高PPI的要求。
实用新型内容
基于此,有必要提供一种开口率大且具有较高的物理分辨率的像素结构和采用该像素结构的有机发光显示装置。
一种像素结构包括多个像素单元,所述像素单元的形状为长方形,所述像素单元包括第一子像素、第二子像素和第三子像素,所述第一子像素和所述第二子像素分别位于所述第三子像素的两侧,所述第二子像素的形状与所述第一子像素的形状相同,所述第三子像素的形状为T形;横向相邻的所述像素单元呈镜像排布,纵向相邻的像素单元呈镜像排布。
在其中一个实施例中,所述第一子像素为红色像素,所述第二子像素为绿色像素,所述第三子像素为蓝色像素;所述第一子像素和第二子像素相对所述第三子像素的对称轴对称。
在其中一个实施例中,所述第一子像素和第二子像素的形状为矩形。
在其中一个实施例中,所述第一子像素和第二子像素的形状为L形。
在其中一个实施例中,所述第三子像素的面积等于所述第一子像素的面积与所述第二子像素的面积之和。
在其中一个实施例中,所述像素单元的形状为正方形。
在其中一个实施例中,所述第一子像素的形状为矩形,所述第一子像素的长边的长度小于所述像素单元的边长。
在其中一个实施例中,所述第三子像素的底边长度等于所述像素单元的边长。
本实用新型还提供了包括上述像素结构的有机发光显示装置。
上述像素结构对像素单元以及像素单元中的第一子像素、第二子像素和第三子像素进行结构排布,其中,相邻的像素单元呈镜像排布,第三子像素呈T形,第一子像素和第二子像素形状相同,第一子像素、第二子像素、第三子像素构成矩形。上述结构排布使得第一子像素、第二子像素、第三子像素分别与相邻像素单元中的相应的子像素相邻,在制作时相邻的子像素可以共用一个开口,增加了蒸镀时的开口面积,同时,由于在蒸镀相邻的子像素时无需预留空隙,提高了开口率,进而可以实现较高的物理分辨率。采用上述像素单元的有机发光显示装置分辨率较高。
附图说明
图1为第一实施例的像素结构的结构示意图;
图2为图1所示的像素结构的第一子像素的slot式开口的金属掩膜板的结构示意图;
图3为图1所示的像素结构的第三子像素的slot方式开口的金属掩膜板的结构示意图;
图4为图1所示的像素结构的第三子像素的slit方式开口的金属掩膜板的结构示意图;
图5为第二实施例的像素结构的结构示意图;
图6为图5所示的像素结构的第一子像素第一次蒸镀的slot式开口的金属掩膜板的结构示意图;
图7为图5所示的像素结构的第一子像素第二次蒸镀的slot式开口的金属掩膜板的结构示意图;
图8为图5所示的像素结构的第三子像素的slot式开口的金属掩膜板的结构示意图;
图9为图5所示的像素结构的第三子像素的slit式开口的金属掩膜板的结构示意图;
附图标记:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的