[实用新型]一种高阻水性太阳能电池背板有效
申请号: | 201420844811.5 | 申请日: | 2014-12-26 |
公开(公告)号: | CN204243061U | 公开(公告)日: | 2015-04-01 |
发明(设计)人: | 王祖伟 | 申请(专利权)人: | 浙江帆度光伏材料有限公司 |
主分类号: | H01L31/049 | 分类号: | H01L31/049;B32B33/00 |
代理公司: | 杭州金道专利代理有限公司 33246 | 代理人: | 赵芳 |
地址: | 312400 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 水性 太阳能电池 背板 | ||
技术领域
本实用新型属于太阳能光伏电池技术领域,具体地,涉及用于太阳能电池的背板。
背景技术
太阳能是一种取之不尽、用之不竭的清洁无污染能源,光伏发电是利用半导体界面的光生伏特效应而将光能直接转变为电能,具有安全可靠、无噪声、低污染、无需消耗燃料和架设输电线路即可就地发电供电及建设周期短的优点,是现如今最为理想太阳能综合应用的技术。这种技术的关键元件是太阳能电池。太阳能电池经过串联后进行封装保护可形成大面积的太阳电池组件,再配合上功率控制器等部件就形成了光伏发电装置。而背板是光伏组件制造中的一种关键性材料。背板的性能,在很大程度上影响了组件的使用寿命。
太阳能电池背膜是太阳能电池不可或缺的组成部分,主要用于太阳能电池的封装,是电池板背面的保护材料用于支撑和固定太阳能电池。具有绝缘(耐电击穿)、耐老化、耐气候影响和耐腐蚀等特性。由于实际需要,大部分组件需要长期在户外的极端气候下,特别是在高温、高湿的环境中工作。在这种情况下,空气中的湿气会透过背板材料进入组件内部(如遇阴雨天湿气更大),影响EVA的粘接性能,导致EVA与背板脱离,进而使得更多的湿气进入组件内部。湿气直接接触电池片而导致电池片被氧化。特别是非晶硅太阳电池组件,对水汽更加敏感,即使是极少量的水蒸汽,也会大大加速组件的性能下降。这使得电池组件的寿命容易受到较大的影响。
中国专利CN202150470U(公开日2012年2月22日)提供一种高阻隔耐水解太阳电池背膜,包括基层、位于所述基层内表面的EVA胶膜层、依次覆合在所述基层外表面的高分子粘接剂层、铝箔层、高分子粘接剂层、PEN层、硅钛化成膜层、含氟涂层和氟硅氧烷化成膜层。该背板含有铝箔层,铝箔层的厚度为0.015毫米-0.018毫米。由于0.02mm以下的铝箔层易产生针孔缺陷,使得铝箔的水蒸气透过率较大,背板的阻水性无法得到保障。
发明内容
本实用新型解决现有技术中太阳能背板耐候性差、阻水性能不佳的缺陷,提供一种耐候性能好、阻水性能好,有效延长使用寿命的太阳能电池背板。
针对以上根本技术问题,本实用新型相应的解决技术方案是:
一种高阻水性太阳能电池背板,其特征在于:所述电池背板依次由第一耐候层、PET硅氧化物阻水层、基材层和第二耐候层组成,PET硅氧化物阻水层在第一耐候层和基材层之间,PET硅氧化物阻水层为硅氧化物以化学气相沉积法蒸镀于PET薄膜上所形成的薄膜阻隔层,PET厚度为20μm,硅氧化物层厚度50nm,所述第一耐候层和第二耐候层为含氟树脂的涂覆膜,含氟高树脂为下列一种:聚氟乙烯、聚偏氟乙烯、聚四氟乙烯、聚全氟乙丙烯、氟橡胶、三氟氯乙烯-烷基乙烯基醚共聚物。
所述基材层为聚对苯二甲酸乙二醇酯层、聚对苯二甲酸丁二醇酯层、聚对苯二甲酸丙二醇酯层、聚萘二甲酸乙二醇酯层中的一种。
进一步,第一耐候层的厚度为5-30微米,基材层为100-400微米,第二耐候层为5-30微米。
本实用新型提供的高阻水性太阳能电池背板,背板的结构中采用PET硅氧化物阻水层,避免了铝箔层的针孔缺陷问题,显著提高了背板的抗水蒸气渗透性能,延长了太阳电池组件的使用寿命大幅延缓聚偏氟乙烯树脂的老化。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图;
图1中,1为基材层、2为第一耐候层、3为第二耐候层、4为PET硅氧化物阻水层。
具体实施方式
实施例1,
参见附图1所示,
一种高阻水性太阳能电池背板,电池背板依次由第一耐候层2、PET硅氧化物阻水层4、基材层1和第二耐候层3组成,PET硅氧化物阻水层位于第一耐候层和基材层之间,PET硅氧化物阻水层为硅氧化物以化学气相沉积法蒸镀于PET薄膜上所形成的薄膜层,PET厚度为20μm,硅氧化物层厚度50nm。
PET硅氧化物阻水层由PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)薄膜和蒸镀SixOy组成,1≤x:y≤2,SixOy以化学气相沉积法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)蒸镀于PET薄膜上
所述第一耐候层和第二耐候层为聚氟乙烯的涂覆膜。
基材层1为聚对苯二甲酸乙二醇酯层。
第一耐候层的厚度为20微米,基材层为200微米,第二耐候层为10微米。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的