[实用新型]一种用于医疗器械的手持式双波段半导体激光灭菌系统有效

专利信息
申请号: 201420848428.7 申请日: 2014-12-29
公开(公告)号: CN204337350U 公开(公告)日: 2015-05-20
发明(设计)人: 黄智蒙;陈图南;刘仓理;李剑峰;张大勇;冯华;赵剑衡;鲜继淑 申请(专利权)人: 中国工程物理研究院流体物理研究所
主分类号: A61L2/10 分类号: A61L2/10;A61L2/08
代理公司: 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 代理人: 王记明
地址: 621000*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 医疗器械 手持 波段 半导体 激光 灭菌 系统
【说明书】:

技术领域

实用新型属于激光灭菌技术,具体是指一种基于紫外与红外双波段的用于医疗器械除菌的手持便携式半导体激光灭菌系统。

背景技术

随着现代急救医学的不断发展,危重病患者综合诊治方法越来越多,救治成功率也在不断提高。然而,随着抗生素的广泛应用和耐药菌株的不断出现,医院感染已成为医学界关注的重要问题。由于重症监护病房(intensive care uni,t ICU)收治的患者存在病情重、接受有创抢救措施多等特点,使其医院感染的患病率较普通病房高3~18倍,接近50%。根据2014年最新统计资料,医院内各大科室重症监护室,特别是神经外科重症监护室、ICU病房等危急重症患者集中的加护病房,由于院内感染即入院后新发生、在医院内接触病原体导致的感染成为院内感染,导致的严重呼吸道感染成为导致患者病情恶化甚至死亡的重要原因之一。

综合创伤救治和重症监护治疗感染高发的情况,可以发现两者间存在着以下几个方面的共性:一是患者大多接受了医源性有创治疗如手术、气管切开等;二是均在同一相对密闭空间内同时治疗多名伤员、病员;三是两种情况下伤病员感染率均高于一般情况,感染往往导致恶性后果。

而解决以上两种重要情况下的抗感染困境,首先要控制好医疗器械的病原体传播。目前常规采用的办法主要有医疗器械的高温高压灭菌、化学药剂的消毒、紫外荧光的照射等综合措施。但是,在紧急条件下,伤员救治时间紧、工作量大、条件有限,往往因为灭菌设备庞大沉重,化学药剂携带数量有限,且以上所述方法均需要较长时间才能起效,达不到消毒灭菌要求。在医院重症监护病房,加上人员、病员流转频繁,医疗器具消毒依赖现有方法,主要是紫外光照和空气过滤,难以维持较高的无菌状态,院内感染难以消除。

激光在医学中的应用研究近年来逐渐兴起。激光灭菌技术较普通光学灭菌技术的优势已经被医疗产品研发领域受到了重视,但目前的激光灭菌技术主要采用CO2激光,红外激光效率低、体积庞大、不易光纤传输、操作不便且波长单一,灭菌效率不高。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种用于医疗器械的手持式双波段半导体激光灭菌系统,克服现有常用物理化学灭菌和消毒技术灭菌不彻底、速度慢、效率低、设备庞大沉重的问题,实现多波段激光对医疗器械表面大范围的自动化高效灭菌。

本实用新型的目的通过下述技术方案实现:

一种用于医疗器械的手持式双波段半导体激光灭菌系统,包括红外半导体激光器、紫外半导体激光器、光纤准直器、以及固定两个光纤准直器的手持装置;其中

红外半导体激光器:产生红外波段激光,作为红外激光光源;

紫外半导体激光器:产生紫外波段激光,作为紫外激光光源;

光纤准直器:用于将红外半导体激光器产生的红外波段激光、紫外半导体激光器产生的紫外波段激光进行光纤耦合并准直输出;

手持装置:用于操作人员手持操作对被灭菌的医疗器材进行灭菌。

本实用新型通过采用现有的设备组合形成新的独立系统,用于医疗器械的灭菌消毒,本实用新型采用多波段的红外半导体激光器产生红外波段激光,紫外半导体激光器产生紫外波段激光,产生的红外波段激光束和紫外波段激光束通过光纤准直器准直输出,通过手持装置将红外波段激光和紫外波段激光照射在被灭菌的医疗器械表面,经过一定时间的照射作用,可以完全消除医疗器械表面的细菌,本实用新型的系统相对于现有技术而言,它包含有更多波段的激光,可以增加杀灭细菌的效率,使得不同波段的激光杀灭有针对性的细菌,而且,功率和电光转换效率高,体积小,重量轻,光纤可以弯曲和偏折,可靠性强,使用灵活方便且寿命长;通过手持装置对医疗器械及相关物体表面进行全方位的扫描,可以对医疗器械进行多角度、合理时间的杀灭,可以在多种模式和场合下得到应用,能够在医疗与重症监护感染防治领域,为减少致死致残率,尽快恢复健康作出重要贡献;采用双波段强激光灭菌的方式,同时整合利用红外激光加热效应强、紫外激光蛋白分子电离破坏效应强的优势,灭菌速度快、彻底、效率高;本系统便携可重复使用,不接触人体,亦不对人体产生明显的直接或间接的影响,便于实现。

所述的红外半导体激光器输出功率为0~50W,输出波长为808nm~980nm,功率波动<2% p-p,中心波长偏差<±3nm,光谱宽度<3nm。

所述紫外半导体激光器输出功率为0~150mW,输出波长为375nm,功率波动<1% p-p,中心波长偏差<±3nm,光谱宽度<3nm。

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