[实用新型]降低开关电路电磁噪声的装置有效
| 申请号： | 201420854264.9 | 申请日： | 2014-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN204334316U | 公开（公告）日： | 2015-05-13 |
| 发明（设计）人： | 郑峰;施伶;龙民敬 | 申请（专利权）人： | 上海瑞伯德智能系统科技有限公司;西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H02M1/44 | 分类号： | H02M1/44 |
| 代理公司： | 上海世贸专利代理有限责任公司 31128 | 代理人： | 严新德 |
| 地址： | 200335 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 降低 开关电路 电磁 噪声 装置 | ||
1.一种降低开关电路电磁噪声的装置，包括一个E-E型磁芯，所述的E-E型磁芯包括两个边柱和一个中心柱，其特征在于：所述的中心柱中设置有气隙，任意一个所述的边柱上均各自设置有一个电感线圈，一个平衡绕组以“8”字型路径绕过两个边柱并避开中心柱，平衡绕组包括有一个第一引出端和一个第二引出端，平衡绕组的第一引出端从一个所述的边柱引出并与一个平衡阻抗元件的一端连接，平衡绕组的第二引出端与一个模拟开关的一端连接，模拟开关的另一端与所述的平衡阻抗元件的另一端连接，模拟开关包括有一个控制端，所述的控制端与一个数字信号处理器的输出端连接。
2.如权利要求1所述的一种降低开关电路电磁噪声的装置，其特征在于：所述的平衡阻抗元件中包括有两个阻抗器件，所述的两个阻抗器件的一端共同连接到平衡绕组的第一引出端，所述的模拟开关包括两个金属氧化物半导体场效应晶体管，所述的两个金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极各自与所述的两个阻抗器件的另一端连接，两个金属氧化物半导体场效应晶体管的源极共同连接到平衡绕组的第二引出端，两个金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极分别与一个数字信号处理器中的两个输出端连接。
3.如权利要求1所述的一种降低开关电路电磁噪声的装置，其特征在于：所述的电感线圈均为对称式boost变换器中的分立的电感线圈。
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H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路，例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
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