[实用新型]发光二极管结构有效

申请号：	201420861129.7	申请日：	2014-12-31
公开（公告）号：	CN204289526U	公开（公告）日：	2015-04-22
发明（设计）人：	刘源;邹继军;万明;张钦亮;周飞;彭新村;刘晓艳	申请（专利权）人：	天际(吉安)光电信息有限公司
主分类号：	H01L33/50	分类号：	H01L33/50;H01L33/64
代理公司：	南昌市平凡知识产权代理事务所 36122	代理人：	许艳
地址：	343100 江西省吉安***	国省代码：	江西;36
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摘要：
搜索关键词：	发光二极管结构
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【权利要求书】：

1.一种发光二极管结构，包括p型GaN层（1）、InGaN多量子阱有源发光层（2）、n型GaN层（3）、缓冲层（4）、衬底（5）以及散热片（6）；所述的p型GaN层（1）依次与InGaN多量子阱有源发光层（2）、n型GaN层（3）、缓冲层（4）、衬底（5）以及散热片（6）连接；其特征在于，所述的发光二极管还包括：

一稀土荧光光子晶体层（7），设在p型GaN层（1）之上；用于生成白光的混光材料和光的输运介质；

多层石墨烯导热层（8），设在散热片（6）与衬底（5）之间；用于热量的导出。

2.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于：所述稀土荧光光子晶体层（7）的厚度为1-10μm。

3.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于：所述石墨烯导热层（8）的层数为三层或四层或五层。

4.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于：所述稀土荧光光子晶体层（7）内介质柱的形状为六边形、正方形、圆形、菱形和三角形。

5.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于：所述稀土荧光光子晶体层（7）内空气孔的形状为六边形、正方形、圆形、菱形和三角形。

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