[实用新型]直流射频磁控溅射镀膜室及直流射频磁控溅射镀膜系统有效
申请号: | 201420867385.7 | 申请日: | 2014-12-31 |
公开(公告)号: | CN204417582U | 公开(公告)日: | 2015-06-24 |
发明(设计)人: | 戴建新 | 申请(专利权)人: | 常熟市虞华真空设备科技有限公司 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 张俊范 |
地址: | 215500 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 直流 射频 磁控溅射 镀膜 系统 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种镀膜室及镀膜系统,特别是涉及一种直流射频磁控溅射镀膜室及直流射频磁控溅射镀膜系统。
背景技术
当今信息社会,人们通过电视机、收音机、手机、互联网等,可即时看到或听到世界上所发生的新闻,之所以能做到这一点,首先需要摄像机、数码相机等采集图像及声源,并对其进行编辑加工,更重要的是需要由通信卫星、计算机等构成的互联网,并通过天线和光缆将这些互联网信息发送到办公室、家庭等终端。这些采集、处理信息及通信网络设备中名都需要大量的元器件、电子线路、集成电路等。而薄膜技术是制作这些元器件、电子线路、集成电路的关键技术基础。直流射频磁控溅射镀膜室及镀膜系统主要用于不同材料膜层的沉积与制备。现有技术缺乏一种用于开发不同纳米级的单层、多层及复合膜的镀膜系统。
实用新型内容
针对上述现有技术的不足,本实用新型的目的是提供一种直流射频磁控溅射镀膜室,用于开发不同纳米级的单层、多层及复合膜。本实用新型的另一个目的是提供一种直流射频磁控溅射镀膜系统,提升抽真空效果。
本实用新型的技术方案是这样的:一种直流射频磁控溅射镀膜室,包括本体,所述本体顶部设有若干溅射靶,本体内自上往下依次设有挡板、基片架和加热器,所述挡板由设置在本体顶部的电机驱动旋转,所述基片架由设置在本体底部的电机驱动旋转,所述挡板为遮蔽基片架的圆形薄板,所述挡板设有若干镀膜孔,所述加热器固定设置于基片架下方用于辐射加热基片架。
优选的,所述镀膜孔设有三个。
直流射频磁控溅射镀膜系统包括直流射频磁控溅射镀膜室,所述直流射频磁控溅射镀膜室分别连接充气系统和抽气系统,所述抽气系统包括串联连接的主抽系统和预抽泵,所述主抽系统包括并联连接的第一主抽管路和预抽阀,所述第一主抽管路包括一次串联连接的主抽阀、分子泵和前级阀,所述主抽阀与直流射频磁控溅射镀膜室连接。
优选的,所述充气系统包括串联连接的混气阀、混气罐和若干气源,所述混气阀与直流射频磁控溅射镀膜室连接。
本实用新型所提供的技术方案的优点在于,可分别控制旋转的基片架和挡板各自转动,改变镀膜孔与基片的相对位置,实现当个基片遮挡、多个基片遮挡或者单基片裸露等多种镀膜状态,从而实现单基片镀多种靶材形成复合膜或者多基片同时镀单一靶材,提高了镀膜效率。通过预抽阀、前级阀以及主抽泵和前级泵之间的配合控制,保证在20分钟内从大气抽至5×10-3Pa,60分钟内优于5×10-4Pa的真空指标,抽真空效率高。
附图说明
图1为直流射频磁控溅射镀膜室结构示意图。
图2为挡板结构示意图。
图3为直流射频磁控溅射镀膜系统结构示意图。
具体实施方式
下面结合实施例对本实用新型作进一步说明,但不作为对本实用新型的限定。
请参见图3,本实用新型所涉及的直流射频磁控溅射镀膜系统包括直流射频磁控溅射镀膜室6。多个气源16通过充气阀17与混气罐15连接,混气罐15与混气阀14连接共同组成充气系统7与直流射频磁控溅射镀膜室6连接对其进行充气。直流射频磁控溅射镀膜室6还连接有抽气系统8,抽气系统8包括串联连接的主抽系统和1台D30C(莱宝)机械泵9,D30C机械泵9作为预抽泵通过金属波纹管和GDC-J25B高真空电磁阀10连接镀膜室6。GDC-J25B高真空电磁阀10作为预抽阀与第一主抽管路并联连接构成主抽系统,第一主抽管路包括依次串联连接的CCD-150超高真空电动插板阀11、TV-551(安捷伦)分子泵12和前级阀13,CCD-150超高真空电动插板阀11为主抽阀与直流射频磁控溅射镀膜室6连接。D30C(莱宝)机械泵9兼作为分子泵12的前级泵。该套系统可在30分钟内从大气抽至6.7×10-4Pa,极限真空度达到6.7×10-6Pa的真空指标。结合图1和图2,直流射频磁控溅射镀膜室6包括本体1,在本体1的顶盖法兰中心左、右、后侧夹角90°处安装3个磁控溅射靶2,本体内自上往下依次设有挡板3、基片架4和加热器5。挡板3由设置在本体1顶部的电机通过磁流体密封驱动旋转,基片架4由设置在本体底部的电机通过磁流体密封驱动旋转。挡板3为遮蔽基片架的圆形薄板,挡板3上与3个磁控溅射靶2相应的位置设有镀膜孔3a,加热器5固定设置于基片架4下方用于辐射加热基片架4。
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