[实用新型]一种具有非晶硅/微晶硅复合层的HIT太阳能电池有效
| 申请号： | 201420869014.2 | 申请日： | 2014-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN204558503U | 公开（公告）日： | 2015-08-12 |
| 发明（设计）人： | 杨与胜;葛洪;张超华;周泗海 | 申请（专利权）人： | 泉州市博泰半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0747 | 分类号： | H01L31/0747 |
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| 地址： | 362000 福建省泉州市鲤城区高*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 非晶硅 微晶硅 复合 hit 太阳能电池 | ||
1.一种具有非晶硅/微晶硅复合层的HIT太阳能电池，其特征在于，其包括：
N型硅片；
设在N型硅片受光面和背光面的本征非晶硅层；
设在N型硅片受光面本征非晶硅层上的掺杂P型非晶硅层；
设在掺杂P型非晶硅层上的掺杂P型微晶硅层；
设在N型硅片背光面本征非晶硅层上的掺杂N型非晶硅层；
设在掺杂N型非晶硅层上的掺杂N型微晶硅层；
分别设在掺杂P型微晶硅层和掺杂N型微晶硅层上的ITO透明导电膜层；
设在N型硅片受光面和背光面ITO透明导电膜层上的金属栅线电极。
2.根据权利要求1所述的具有非晶硅/微晶硅复合层的HIT太阳能电池，其特征在于：所述掺杂P型非晶硅层的厚度为0～10nm，电导率大于10-6S/cm，光学带隙宽度为1.8eV～1.9eV。
3.根据权利要求1所述的具有非晶硅/微晶硅复合层的HIT太阳能电池，其特征在于：所述掺杂P型微晶硅层的厚度为1nm～20nm，电导率大于10-2S/cm，光学带隙宽度为1.9eV～2.1eV。
4.根据权利要求1所述的具有非晶硅/微晶硅复合层的HIT太阳能电池，其特征在于：所述掺杂N型非晶硅层的厚度为0～10nm，电导率大于10-3S/cm。
5.根据权利要求1所述的具有非晶硅/微晶硅复合层的HIT太阳能电池，其特征在于：所述掺杂N型微晶硅层的厚度为1～20nm，电导率大于10-1S/cm。
6.根据权利要求1所述的具有非晶硅/微晶硅复合层的HIT太阳能电池，其特征在于：所述ITO透明导电膜层的厚度为80nm～110nm，电导率大于103S/cm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
