[实用新型]一种基于对数域非线性传输函数的低电压低功耗放大器

权利要求书

1.一种基于对数域非线性传输函数的低电压低功耗放大器，其特征在于，包括：压缩模块和非线性转换模块，所述压缩模块的两个输出端分别与所述非线性转换模块的两个输入端相连；所述压缩模块包括用于将第一差分输入信号以指数形式转换为第一电压信号的PMOS对和用于将第二差分输入信号以指数形式转换为第二电压信号的NMOS对；所述第一电压信号和第二电压信号分别通过两个输出端输出；所述PMOS对由两个互补的PMOS管组成；所述NMOS对由两个互补的NMOS管组成；

所述非线性转换模块包括用于根据输入的第一电压信号和第二电压信号生成电流信号的镜像电流源和用于根据将所述电流信号通过非线性转换函数转换为电压信号的转换子模块。

2.根据权利要求1所述的一种基于对数域非线性传输函数的低电压低功耗放大器，其特征在于，所述压缩模块还包括用于将尾流源偏置的MOS管。

3.根据权利要求1所述的一种基于对数域非线性传输函数的低电压低功耗放大器，其特征在于，所述镜像电流源前端还连接有用于将所述第二电压信号转化成电流信号的MOS管；所述镜像电流源前端还连接有用于对所述电流信号进行调整的MOS管。

4.根据权利要求2所述的一种基于对数域非线性传输函数的低电压低功耗放大器，其特征在于，所述压缩模块包括：PMOS管PMOS0、PMOS管PMOS1、PMOS管PMOS2、NMOS管NMOS0、NMOS管NMOS1和NMOS管NMOS2；所述PMOS管PMOS0的源极接入电源电压，PMOS管PMOS0的漏极和PMOS管PMOS1的源极、PMOS管PMOS2的源极相连，PMOS管PMOS0的栅极和PMOS管PMOS2的漏极相连并接入参考电流；所述PMOS管PMOS1的栅极接入第一差分输入信号，所述PMOS管PMOS1的栅极还与PMOS管PMOS1的漏极、NMOS管NMOS2的栅极相连；所述PMOS管PMOS2的栅极接入参考电压；所述NMOS管NMOS1的栅极接入第二差分输入信号、NMOS管NMOS1的源极和NMOS管NMOS2的源极、NMOS管NMOS0的漏极相连；所述NMOS管NMOS1的漏极和NMOS管NMOS1的栅极相连；所述NMOS管NMOS2的漏极接入参考电流并和NMOS管NMOS0的栅极相连；所述NMOS管NMOS0的源极接地。

5.根据权利要求4所述的一种基于对数域非线性传输函数的低电压低功耗放大器，其特征在于，所述非线性转换模块包括：PMOS管PMOS3、PMOS管PMOS4、PMOS管PMOS5、PMOS管PMOS6、NMOS管NMOS3、NMOS管NMOS4、NMOS管NMOS5、NMOS管NMOS6、NMOS管NMOS7和NMOS管NMOS8；所述PMOS管PMOS3的栅极和NMOS管NMOS1的漏极、NMOS管NMOS3的栅极相连，所述PMOS管PMOS3的源极接入电源电压，所述PMOS管PMOS3的漏极和NMOS管NMOS4的漏极、NMOS管NMOS4的栅极、NMOS管NMOS6的栅极相连；所述NMOS管NMOS4的源极和NMOS管NMOS5的漏极、NMOS管NMOS5的栅极、NMOS管NMOS7的栅极相连；NMOS管NMOS5的源极和NMOS管NMOS3的漏极相连；NMOS管NMOS6的源极和NMOS管NMOS7的漏极相连；PMOS管PMOS4的栅极和NMOS管NMOS2的栅极相连，PMOS管PMOS4的漏极和NMOS管NMOS6的漏极相连，PMOS管PMOS4的源极和PMOS管PMOS5的漏极、PMOS管PMOS6的源极相连；PMOS管PMOS5的源极接入电源电压；PMOS管PMOS6的栅极和PMOS管PMOS6的漏极、NMOS管NMOS8的栅极相连；所述NMOS管NMOS8的漏极输出最后得到的电流信号；所述NMOS管NMOS3的源极、NMOS管NMOS7的源极、PMOS管PMOS5的栅极、PMOS管PMOS6的漏极、NMOS管NMOS8的源极均接地。

6.根据权利要求5所述的一种基于对数域非线性传输函数的低电压低功耗放大器，其特征在于，所述非线性转换模块还包括PMOS管PMOS7，所述PMOS管PMOS7的漏极和栅极与NMOS管NMOS8的漏极相连；所述PMOS管PMOS7的源极接入电源电压。