[实用新型]晶圆清洗装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及晶圆制造领域，特别涉及一种晶圆清洗装置。

背景技术

晶圆(Wafer)是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆。晶圆加工过程中，需根据需要去除晶圆表面的有机物、颗粒、金属杂质、自然氧化层、石英、塑料等污染物，且不破坏晶片表面特性。如晶圆电镀后，需对晶圆进行清洗以去除晶圆表面残留的电镀液，避免电镀液对晶圆产生影响，降低晶圆品质，同时也避免电镀液对下一道工序产生污染。

实用新型内容

本实用新型的目的是为了克服现有技术中的不足，提供一种可对晶圆进行清洗的晶圆清洗装置。

为实现以上目的，本实用新型通过以下技术方案实现：

晶圆清洗装置，其特征在于，包括：

清洗槽；所述清洗槽设有容腔；

晶圆支撑装置；所述晶圆支撑装置设置在所述容腔内，用于夹持晶圆；

喷头；所述喷头可朝向晶圆喷射液体或气体。

优选地是，所述喷头与所述晶圆支撑装置可相对移动地设置。

优选地是，还包括第一驱动装置；所述第一驱动装置驱动所述晶圆支撑装置做升降运动或通过第一传动装置驱动所述晶圆支撑装置做升降运动。

优选地是，所述第一驱动装置为第一气缸或第一伺服电机。

优选地是，还包括第二驱动装置；所述第二驱动装置驱动所述晶圆支撑装置转动或通过第二传动装置驱动所述晶圆支撑装置转动。

优选地是，所述第二驱动装置为第二气缸或第二伺服电机；所述第二伺服电机的第二电机主轴与所述晶圆支撑装置连接。

优选地是，还包括第二驱动装置；所述第二驱动装置为第二气缸或第二伺服电机；所述第二伺服电机与所述第一气缸的第一活塞杆连接，随所述第一活塞杆伸缩做升降运动；所述第二伺服电机的第二电机主轴与所述晶圆支撑装置连接，驱动所述晶圆支撑装置转动。

优选地是，所述晶圆支撑装置包括真空吸盘；所述真空吸盘上开设有吸孔；所述吸孔与抽真空装置连通。

优选地是，所述第二伺服电机的第二电机主轴为空心轴，沿轴向开设有第一通孔；所述第一通孔与所述吸孔连通。

优选地是，所述晶圆支撑装置还包括套筒；所述套筒设有第二通孔；所述套筒与所述真空吸盘连接，且所述第二通孔与所述吸孔连通；所述第二伺服电机安装在所述容腔的外侧；所述套筒贯穿所述清洗槽的槽底套设在所述第二电机主轴上，或所述套筒套设在贯穿清洗槽槽底的第二电机主轴上；所述第二通孔与所述第一通孔连通；销轴贯穿所述套筒的侧壁后插入所述第二电机主轴内，阻止所述套筒和所述第二电机主轴分离，并阻止所述套筒和所述第二电机主轴相对转动。

优选地是，所述清洗槽的槽底设有至少一个出液口。

优选地是，所述清洗槽的槽底倾斜；所述清洗槽的槽底的高度自所述套筒或所述第二电机主轴的贯穿处向所述出液口方向逐渐降低。

优选地是，还包括挡板；所述挡板设置在所述清洗槽的槽底且高出所述槽底；所述挡板环绕所述套筒或第二电机主轴；晶圆的下表面可盖住所述挡板；所述挡板上还开设有至少一个导流孔；所述导流孔将所述挡板两侧区域导通地设置。

优选地是，还包括至少一个支架；所述支架设置在所述清洗槽的一侧，且可相对所述晶圆支撑装置转动、升降；所述支架上设有至少一个所述喷头。

优选地是，还包括至少一个第三驱动装置；每个所述第三驱动装置驱动一个所述支架做升降运动或通过一个第三传动装置驱动一个所述支撑臂做升降运动。

优选地是，所述第三驱动装置为第三气缸或第三伺服电机；所述第三气缸的第三活塞杆与支架可转动连接。

优选地是，还包括至少一个第四驱动装置；每个所述第四驱动装置驱动一个所述支架转动或通过一个第四传动装置驱动一个所述支架转动。

优选地是，所述第四驱动装置为第四气缸或第四伺服电机；所述第四传动装置包括传动带；所述传动带环绕所述第四伺服电机的第四电机主轴和所述支架上；每个所述第四伺服电机与一个所述第三气缸的第三活塞杆连接，随所述第三活塞杆伸缩做升降运动。

优选地是，还包括至少一个接液槽；所述接液槽设置在所述清洗槽的一侧，用于收集所述喷头喷射在所述容腔以外区域的液体。

优选地是，还包括控制主机和至少一个位置检测装置；每个所述位置检测装置用于检测一个所述支架的位置，并向所述控制主机发送信号；所述控制主机控制所述第四驱动装置工作，并根据所述位置检测装置的信号决定所述第四驱动装置启动或停止。