[发明专利]一种掺杂结构及其制作方法、电光调制器

权利要求书

1.一种掺杂结构，其特征在于，该掺杂结构包括第一掺杂区域、第二掺杂区域、第三掺杂区域和第四掺杂区域；其中：

所述第一掺杂区域与所述第二掺杂区域邻接；所述第二掺杂区域与所述第三掺杂区域邻接以形成PN结耗散区；所述第三掺杂区域与所述第四掺杂区域邻接；

所述PN结耗散区包括多个依次排列的U型结构，且相邻的U型结构的开口方向相反；其中，至少一个所述U型结构内包括无掺杂的本征区。

2.如权利要求1所述的掺杂结构，其特征在于，每个所述U型结构内包括所述无掺杂的本征区。

3.如权利要求1或2所述的掺杂结构，其特征在于，所述第二掺杂区域内的至少一个所述无掺杂的本征区与所述第二掺杂区域相连；和/或，

所述第三掺杂区域内的至少一个所述无掺杂的本征区与所述第三掺杂区域相连。

4.如权利要求3所述的掺杂结构，其特征在于，所述第二掺杂区域内的每个所述无掺杂的本征区均与所述第二掺杂区域相连；且，所述第三掺杂区域内的每个所述无掺杂的本征区均与所述第三掺杂区域相连。

5.如权利要求1所述的掺杂结构，其特征在于，所述第一掺杂区域和所述第二掺杂区域采用P型掺杂，且所述第一掺杂区域的掺杂浓度大于所述第二掺杂区域的掺杂浓度；所述第三掺杂区域和所述第四掺杂区域采用N型掺杂，且所述第三掺杂区域的掺杂浓度小于所述第四掺杂区域的掺杂浓度；

或者，

所述第一掺杂区域和所述第二掺杂区域采用N型掺杂，且所述第一掺杂区域的掺杂浓度大于所述第二掺杂区域的掺杂浓度；所述第三掺杂区域和所述第四掺杂区域采用P型掺杂，且所述第三掺杂区域的掺杂浓度小于所述第四掺杂区域的掺杂浓度。

6.一种电光调制器，其特征在于，该电光调制器的调制区包括脊形结构的波导区，该波导区包括：第一掺杂区域、第二掺杂区域、第三掺杂区域和第四掺杂区域；其中：

所述第一掺杂区域与所述第二掺杂区域邻接；所述第二掺杂区域与所述第三掺杂区域邻接以形成PN结耗散区；所述第三掺杂区域与所述第四掺杂区域邻接；

所述PN结耗散区包括多个依次排列的U型结构，且相邻的U型结构的开口方向相反，至少一个所述U型结构所包含的区域为无掺杂的本征区；

所述第一掺杂区域与所述第四掺杂区域分别与所述波导区的驱动电路连接。

7.如权利要求6所述的电光调制器，其特征在于，每个所述U型结构所包含的区域均为无掺杂的本征区。

8.如权利要求6或7所述的电光调制器，其特征在于，所述第二掺杂区域内的至少一个所述无掺杂的本征区与所述第二掺杂区域相连；和/或，

所述第三掺杂区域内的至少一个所述无掺杂的本征区与所述第三掺杂区域相连。

9.如权利要求8所述的电光调制器，其特征在于，所述第二掺杂区域内的每个所述无掺杂的本征区与所述第二掺杂区域相连；且，所述第三掺杂区域内的每个所述无掺杂的本征区与所述第三掺杂区域相连。

10.如权利要求6所述的电光调制器，其特征在于，所述第一掺杂区域和所述第二掺杂区域采用P型掺杂，且所述第一掺杂区域的掺杂浓度大于所述第二掺杂区域的掺杂浓度；所述第三掺杂区域和所述第四掺杂区域采用N型掺杂，且所述第三掺杂区域的掺杂浓度小于所述第四掺杂区域的掺杂浓度；

或者，

所述第一掺杂区域和所述第二掺杂区域采用N型掺杂，且所述第一掺杂区域的掺杂浓度大于所述第二掺杂区域的掺杂浓度；所述第三掺杂区域和所述第四掺杂区域采用P型掺杂，且所述第三掺杂区域的掺杂浓度小于所述第四掺杂区域的掺杂浓度。