[发明专利]多晶硅输送装置及使用其生产多晶硅的反应器系统和方法

权利要求书

1.降低或消除粒状硅在其传送或输送期间的金属接触污染的方法，所述方法包括：

通过包含内表面至少部分地涂有包含微孔弹性体聚氨酯的保护层的合成树脂管的管道传送粒状硅。

2.权利要求1所述的方法，其中所述合成树脂管是挠性管。

3.权利要求2所述的方法，其中所述挠性管进一步包含与所述保护层结合的包含软合成树脂的外层，和包埋在所述外层内或连接至所述外层的加强件。

4.权利要求3所述的方法，其中所述保护层的微孔弹性体聚氨酯的邵尔硬度为至少65A，所述外保护层包含软氯乙烯树脂，以及所述加强件是包含硬合成树脂的螺旋卷绕加强件。

5.权利要求1所述的方法，其中所述微孔弹性体聚氨酯的体积密度为至少800kg/m³以及邵尔硬度为至少65A。

6.权利要求5所述的方法，其中所述微孔弹性体聚氨酯的邵尔硬度为65A至85A以及体积密度为800kg/m³至1150kg/m³。

7.权利要求1所述的方法，其中所述保护层的平均厚度为至少0.1毫米以及至多10毫米。

8.权利要求1-7中任一项所述的方法，其中所述合成树脂管是与粒状多晶硅生产用流化床反应器设备相关的组件，但不包括所述流化床反应器设备的流化反应器床室。

9.用于生产多晶硅的流化床反应器单元，其包含：

界定反应器室的容器；和

位于反应器室外的至少一个挠性合成树脂管，所述挠性合成树脂管具有界定与反应器室相连通的通道的内表面，所述内表面至少部分地涂有包含微孔弹性体聚氨酯的保护层。

10.权利要求9所述的流化床反应器单元，其中所述微孔弹性体聚氨酯的体积密度为至少800kg/m³以及邵尔硬度为至少65A。

11.权利要求10所述的流化床反应器单元，其中所述保护层的平均厚度为至少0.1毫米以及至多10毫米。

12.权利要求9-11中任一项所述的流化床反应器单元，其中所述挠性管进一步包含与所述保护层结合的包含软合成树脂的外层，和包埋在所述外层内或连接至所述外层的加强件。

13.权利要求12所述的方法，其中所述保护层的微孔弹性体聚氨酯的邵尔硬度为至少65A，所述外层包含软氯乙烯树脂，以及所述加强件是包含硬合成树脂的螺旋卷绕加强件。

14.用于生产粒状多晶硅的方法，所述方法包括：

使用包含进料或排放管的流化床反应器实现含硅气体的高温分解，所述进料或排放管包含内表面至少部分地涂有包含微孔弹性体聚氨酯的保护层的挠性合成树脂管；

在流化床反应器中将多晶硅层沉积于晶种粒子上以产生粒状多晶硅；以及

借助于其中所述挠性管抑制或消除晶种粒子、多晶硅粒子或两者的金属接触表面污染的进料或排放管道，在进入流化床反应器之前输送晶种粒子、在离开流化床反应器之后输送粒状多晶硅、或两者。

15.权利要求14所述的方法，其中所述微孔弹性体聚氨酯的体积密度为至少800kg/m³以及邵尔硬度为至少65A。

16.权利要求14或15所述的方法，其中所述挠性管进一步包含与所述保护层结合的包含软合成树脂的外层，和包埋在所述外层内或连接至所述外层的加强件。

17.权利要求16所述的方法，其中所述保护层的微孔弹性体聚氨酯具有至少65A的邵尔硬度，所述外保护层包含软氯乙烯树脂，以及所述加强件是包含硬合成树脂的螺旋卷绕加强件。