[发明专利]质子传导体有效
| 申请号： | 201480000773.8 | 申请日： | 2014-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN104969302B | 公开（公告）日： | 2017-08-01 |
| 发明（设计）人： | 钱谷勇磁;西原孝史 | 申请（专利权）人： | 松下知识产权经营株式会社 |
| 主分类号： | H01B1/08 | 分类号： | H01B1/08;H01M8/1246 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 曹阳 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 质子 传导 | ||
【权利要求书】：
1.一种质子传导体，其具有组成式AaB1-xB’xO3-δ所示的钙钛矿型晶体结构，其中，
所述A为选自Ba和Sr的至少1种元素；
所述B为Zr；
所述B’为Y或In；
满足0.4＜a＜0.9且0.2＜x＜0.6；
所述质子传导体由组成和晶体结构实质上均一的单相构成。
2.如权利要求1所述的质子传导体，其中，
所述a值为0.4＜a＜0.8的范围；
所述x值为0.3＜x＜0.6的范围。
3.如权利要求1所述的质子传导体，其中，
所述a值为0.4＜a＜0.8；
所述x值为0.4＜x＜0.6。
4.如权利要求1所述的质子传导体，其中，
所述a值为0.4＜a＜0.6；
所述x值为0.4＜x＜0.6。
5.如权利要求1所述的质子传导体，其中，
所述a值为0.4＜a＜0.5；
所述x值为0.4＜x＜0.6。
6.如权利要求1所述的质子传导体，其中，在100℃以上500℃以下的温度范围内的质子传导的活化能为0.1eV以下。
7.如权利要求1所述的质子传导体，其中，
0.21≤x≤0.58、
a≥-0.054x+0.441、和
a≤-0.027x+0.886的关系成立。
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