[发明专利]半导体加工用粘合胶带有效

专利信息
申请号: 201480001126.9 申请日: 2014-02-12
公开(公告)号: CN104272437A 公开(公告)日: 2015-01-07
发明(设计)人: 玉川有理;矢吹朗;服部聪 申请(专利权)人: 古河电气工业株式会社
主分类号: H01L21/301 分类号: H01L21/301;C09J7/02;C09J11/06;C09J11/08;C09J201/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 雒运朴
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 工用 粘合 胶带
【说明书】:

技术领域

本发明涉及在制造半导体装置的工序中、切割半导体晶片所使用的半导体加工用粘合胶带。更详细而言,涉及在包括使用化学药品的半导体元件表面的清洗工序的制造半导体元件时所使用的半导体加工用粘合胶带。

背景技术

对形成有配线图案的半导体晶片的背面进行薄型加工时,为了保护半导体晶片的图案面以及对半导体晶片本身进行固定,一般在图案面上贴附保护片后,对背面施予研磨、研削等薄型加工。作为所述保护片,一般使用在由塑料膜所构成的基材上涂布丙烯酸系粘合剂等而得到的保护片。然而,近年来由于IC卡或移动电话的薄型化、小型化,要求半导体芯片的厚度为50μm以下的等级,在使用以往的保护胶带的工序中,仅利用保护胶带无法支撑半导体晶片,由于研削后的半导体晶片的翘曲、或收纳在晶片匣中产生的挠曲等而难以进行半导体晶片的处理,难以进行操作或搬运的自动化。

针对该问题,提出通过粘接剂将玻璃基板、陶瓷基板或硅晶片基板等贴合在半导体晶片上,从而对半导体晶片赋予支撑性的方法(例如,参考专利文献1)。通过使用玻璃基板、陶瓷基板或硅晶片基板等支撑部件来替代上述保护片,半导体晶片的操作性大幅提高,使搬运的自动化成为可能。

在使用支撑部件的半导体晶片的操作中,在半导体晶片的背面研削后,需要将支撑部件从半导体晶片上剥离的工序。支撑部件的剥离,一般是以下述方法等来进行:(1)利用化学药品将支撑部件与半导体晶片之间的粘接剂溶解或分解;(2)对支撑部件与半导体晶片之间的粘接剂照射激光进行光分解。然而,在(1)的方法中存在如下问题,即为了使化学药品在粘接剂中扩散需要长时间的处理;此外,在(2)的方法中存在如下问题,即激光扫描需要长时间处理。此外,无论何种的方法都存在如下问题,即需要准备特殊的基板作为支撑部件。

因此,提出如下方法:在剥离支撑部件时,形成了剥离开口后,进行物理性、机械性剥离的方法(例如,参考专利文献2、3)。该方法不需要以往的利用化学药品将粘接剂溶解或分解、或利用激光扫描进行光分解时所需要的长时间的处理,在短时间内便可以进行处理。将支撑部件从半导体晶片上剥离之后,利用化学药品来清洗在剥离支撑部件时所产生的半导体晶片上的粘接剂的残渣。

背面已被研削的半导体晶片,之后被送至切割工序中切割成一个一个的芯片,如上所述,若半导体芯片的厚度为50μm以下时,在半导体晶片单独存在时,由于研削后的半导体晶片的翘曲、或收纳在晶片匣时产生的挠曲等,而使半导体晶片的处理变得非常困难,因此通常情况是半导体晶片的背面研削后、支撑部件的剥离前,在半导体晶片的研削面上贴合切割胶带,使其支撑固定在环形框上。因此,利用化学药品来清洗在剥离支撑部件时所产生的半导体晶片上的粘接剂残渣,是将半导体晶片以贴合在切割胶带上的状态下进行的,因此要求切割胶带具有高耐溶剂性。

作为具有高耐溶剂性的切割胶带,提出在粘合剂层中含有能量线固化型丙烯酸树脂组合物,且使凝胶分率为70%以上(例如,参考专利文献4)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开2006-135272号公报

专利文献2:日本特表2011-510518号公报

专利文献3:美国专利申请公开第2011/0272092号说明书

专利文献4:日本特开2009-224621号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而,专利文献4所记载的半导体加工用粘合胶带,材料极其受限,因此存在以下情况:难以表现出切割胶带原本所要求的特性,即在切割时仅能抑制芯片飞散的粘合力、拾取(pick up)时的易剥离性。

因此,本发明的目的在于提供一种半导体加工用粘合胶带,其是具备在切割时仅能抑制芯片飞散的粘合力、在拾取(pick up)时的易剥离性的切割胶带,且在使用支撑部件的半导体元件的制造工序中,即使是粘合剂上沾有用来清洗将支撑部件贴合于半导体晶片时的粘接剂残渣的清洗液的情形之下,粘合剂也不会溶解而污染半导体元件。

解决问题的方法

本发明人等为了达成上述目的而进行了深入研究,结果发现:对于在基材树脂膜上具有粘合剂层而成的半导体加工用粘合胶带,将相对于粘合剂层的甲基异丁基酮的接触角设为特定值,即使是粘合剂上沾有清洗液的情况下,粘合剂也不会溶解而污染半导体元件。本发明是基于上述见解而完成的。

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