[发明专利]荧光体和发光装置有效
申请号: | 201480001295.2 | 申请日: | 2014-02-04 |
公开(公告)号: | CN104321407A | 公开(公告)日: | 2015-01-28 |
发明(设计)人: | 奥山浩二郎;白石诚吾 | 申请(专利权)人: | 松下知识产权经营株式会社 |
主分类号: | C09K11/59 | 分类号: | C09K11/59;H01L33/50 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 葛凡 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 荧光 发光 装置 | ||
技术领域
本发明涉及包含Eu元素的荧光体。本发明还涉及使用了该荧光体的发光装置。
背景技术
近年来,从节能的观点出发,白色LED(发光二极管)逐渐被广泛使用。在通常的白色LED中,利用荧光体对由作为蓝色发光元件的蓝色LED芯片和蓝色LED芯片的发出的光的一部分进行颜色转换,将来自蓝色LED芯片的蓝色光和来自荧光体的发光进行混色而制成白色光。
作为白色LED,蓝色LED芯片与黄色荧光体的组合为主流,由于显色性、色彩再现性等高,也正在进行组合了近紫外至蓝紫色区域的LED与蓝色荧光体、绿色荧光体和红色荧光体这3种荧光体的白色LED的开发。
另外,在投影机光源、车载用大灯光源等要求高发光能量的用途中,正在进行组合了近紫外至蓝紫色区域的LD(半导体激光二极管)与荧光体的光源的开发。
作为蓝色荧光体,已知用通式Sr3MgSi2O8:Eu2+表示的荧光体(SMS荧光体),正在进行将其作为白色LED的蓝色荧光体使用的研究(参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:国际公开第2012-033122号
发明内容
但是,在上述现有的方法中,由于SMS荧光体的发光效率低,因此难以构成高效率的发光装置。此外,构成组合有LD和SMS荧光体的发光装置时,由于随着激发光能量的增加而导致的SMS荧光体的温度上升和辉度饱和现象,还会存在发光效率进一步降低的问题。
本发明的目的在于,解决上述现有课题以提供发光效率高的SMS型荧光体。本发明的目的还在于,提供高效率的发光装置。
解决了上述课题的本发明的荧光体由通式xAO·y1EuO·y2EuO3/2·MgO·zSiO2表示,在该通式中,A是选自Ca、Sr和Ba中的至少一种,x满足2.80≤x≤3.00,y1+y2满足0.01≤y1+y2≤0.20,z满足1.90≤z≤2.10,将全部Eu元素中的2价Eu元素的比例定义为2价Eu率时,通过X射线光电子能谱法测定的荧光体粒子的2价Eu率为50摩尔%以下,通过X射线吸收近边结构解析法测定的荧光体粒子的2价Eu率为97摩尔%以上。
另外,本发明的发光装置具有包含所述的荧光体的荧光体层。
根据本发明能提供发光效率高的SMS型的荧光体,使用了该荧光体的发光装置变得高效率。
附图说明
图1是表示本发明的发光装置的一例的截面示意图。
具体实施方式
本发明的第1方案的荧光体由通式xAO·y1EuO·y2EuO3/2·MgO·zSiO2表示。在该通式中,A是选自Ca、Sr和Ba中的至少一种,x满足2.80≤x≤3.00,y1+y2满足0.01≤y1+y2≤0.20,z满足1.90≤z≤2.10。将全部Eu元素中的2价Eu元素的比例定义为2价Eu率时,通过X射线光电子能谱法测定的荧光体粒子的2价Eu率为50摩尔%以下。通过X射线吸收近边结构解析法测定的荧光体粒子的2价Eu率为97摩尔%以上。
本发明的第2方案的荧光体是在第1方案的荧光体中,A中的Sr的比例为90摩尔%以上的荧光体。
本发明的第3方案的荧光体是在第1方案的荧光体中,A中的Ba的比例为90摩尔%以上的荧光体。
本发明的第4方案的荧光体是在第1至第3中的任一项方案的荧光体中,x为2.90以上的荧光体。
本发明的第5方案的荧光体是在第1至第4中的任一项方案的荧光体中,y1+y2为0.06以下的荧光体。
本发明的第6方案的荧光体是在第1至第5中的任一项方案的荧光体中,z为2.00以上的荧光体。
本发明的第7方案的荧光体是在第1至第6中的任一项方案的荧光体中,通过X射线光电子能谱法测定的荧光体粒子的2价Eu率为36摩尔%以下的荧光体。
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