[发明专利]半导体用复合基板的操作基板有效

专利信息
申请号: 201480001476.5 申请日: 2014-03-26
公开(公告)号: CN104364905A 公开(公告)日: 2015-02-18
发明(设计)人: 井出晃启;岩崎康范;宫泽杉夫 申请(专利权)人: 日本碍子株式会社
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;B23K20/00;H01L21/02
代理公司: 上海市华诚律师事务所 31210 代理人: 李晓
地址: 日本国爱知县名*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 复合 操作
【权利要求书】:

1.一种半导体用复合基板的操作基板,其特征在于,所述操作基板由绝缘性多晶材料形成,所述操作基板表面的微观表面的中心线平均粗糙度Ra为5nm以下,所述表面形成有凹部。

2.根据权利要求1所述的操作基板,其特征在于,直径0.5μm以上的凹部的密度为每1cm2所述表面中50个以上、4500个以下。

3.根据权利要求1或2所述的操作基板,其特征在于,所述凹部的深度的平均值为0.1μm以上、0.8μm以下。

4.根据权利要求1~3任一项所述的操作基板,其特征在于,俯视所述操作基板的所述表面时,所述凹部的外侧轮廓为圆形或椭圆形。

5.根据权利要求1~4任一项所述的操作基板,其特征在于,所述凹部的直径的平均值为1μm以上、5μm以下。

6.根据权利要求1~5任一项所述的操作基板,其特征在于,所述绝缘性多晶材料由氧化铝、碳化硅、氮化铝或氮化硅构成。

7.根据权利要求6所述的操作基板,其特征在于,所述绝缘性多晶材料为透光性氧化铝陶瓷。

8.一种半导体用复合基板,其特征在于,包括权利要求1~7任一项所述的操作基板,以及在所述操作基板的所述表面直接或介由接合层键合的施主基板。

9.根据权利要求8所述的半导体用复合基板,其特征在于,所述接合层由Al2O3构成。

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