[发明专利]氧化物烧结体、氧化物溅射靶和高折射率的导电性氧化物薄膜、以及氧化物烧结体的制造方法

权利要求书

1.一种烧结体，其特征在于，包含铟(In)、钛(Ti)、锌(Zn)、以及氧(O)；以In₂O₃换算含有2～20摩尔％In，以TiO₂换算含有2～15.4摩尔％Ti，以ZnO换算含有60摩尔％以上Zn；将In的原子比设为A原子％、将Ti的原子比设为B原子％、将Zn的原子比设为C原子％时，0.5≤A/B≤5且0＜C/(A+B)＜10；所述烧结体的体电阻为8.7mΩ·cm以下。

2.一种烧结体，其特征在于，包含铟(In)、钛(Ti)、锡(Sn)、以及氧(O)；以In₂O₃换算含有2～20摩尔％In，以TiO₂换算含有2～15.4摩尔％Ti，以SnO₂换算含有80摩尔％以上Sn；将In的原子比设为A原子％、将Ti的原子比设为B原子％、将Sn的原子比设为C原子％时，0.5≤A/B≤5且0＜C/(A+B)＜10；所述烧结体的体电阻为87mΩ·cm以下。

3.如权利要求1或2所述的烧结体，其特征在于，以TiO₂换算含有3～15.4摩尔％Ti。

4.如权利要求1或2所述的烧结体，其特征在于，0＜C/(A+B)＜5。

5.如权利要求1或2所述的烧结体，其特征在于，相对密度为90％以上。

6.一种光学调节用薄膜，其特征在于，包含铟(In)、钛(Ti)、锌(Zn)、以及氧(O)；以In₂O₃换算含有2～20摩尔％In，以TiO₂换算含有2～15.4摩尔％Ti，以ZnO换算含有60摩尔％以上Zn；将In的原子比设为A原子％、将Ti的原子比设为B原子％、将Zn的原子比设为C原子％时，0.5≤A/B≤5且0＜C/(A+B)＜10；所述薄膜的波长550nm下的折射率为2.05以上、且波长450nm下的消光系数为0.05以下。

7.一种光学调节用薄膜，其特征在于，包含铟(In)、钛(Ti)、锡(Sn)、以及氧(O)；以In₂O₃换算含有2～20摩尔％In，以TiO₂换算含有2～15.4摩尔％Ti，以SnO₂换算含有80摩尔％以上Sn；将In的原子比设为A原子％、将Ti的原子比设为B原子％、将Sn的原子比设为C原子％时，0.5≤A/B≤5且0＜C/(A+B)＜10；所述薄膜的波长550nm下的折射率为2.05以上、且波长450nm下的消光系数为0.05以下。

8.一种烧结体的制造方法，其为制造权利要求1～5中任一项所述的烧结体的方法，其特征在于，将原料粉末在惰性气体或真空环境下、在900℃以上且1500℃以下加压烧结，或者将原料粉末压制成形，然后将该成形体在惰性气体或真空环境下、在1000℃以上且1500℃以下常压烧结。

9.一种烧结体，其特征在于，包含铟(In)、铬(Cr)、以及锌(Zn)或锡(Sn)、以及氧(O)；以In₂O₃换算含有2～65摩尔％In，以Cr₂O₃换算含有2～65摩尔％Cr，其中不包括以相对于除了不可避免的杂质以外的全部金属成分量的原子比计Cr：11.0原子％、Zn：81.0原子％、In：8.0原子％的情况；将In的原子比设为A原子％、将Cr的原子比设为B原子％、将Zn或Sn的原子比设为C原子％时，0.5≤A/B≤5，0＜C/(A+B)＜10。

10.如权利要求9所述的烧结体，其特征在于，以In₂O₃换算含有2～30摩尔％In，以Cr₂O₃换算含有3～30摩尔％Cr，其中不包括以相对于除了不可避免的杂质以外的全部金属成分量的原子比计Cr：11.0原子％、Zn：81.0原子％、In：8.0原子％的情况，分别以ZnO换算或SnO₂换算含有40摩尔％以上的Zn或Sn。

11.如权利要求9或10所述的烧结体，其特征在于，0＜C/(A+B)＜5。