[发明专利]辐射探测器元件

权利要求书

1.一种辐射探测器元件(2)，包括：至少一个光电二极管(22)，其具有沿着第一主轴(222)延伸的第一主表面(221)；和探测器元件基板(21)，其具有沿着关于所述第一主轴横向地取向的第二主轴(212)延伸的第二主表面(211)，其中，所述光电二极管通过至少一个连接(24、45)与所述探测器元件基板电接触，

其特征在于，所述连接包括两个熔合的焊球(251、451、252、452)，其中，所述两个熔合的焊球中的第一个(251、451)接触所述光电二极管，并且所述两个熔合的焊球中的第二个(251、452)接触所述探测器元件基板。

2.根据权利要求1所述的辐射探测器元件，其中，所述光电二极管(22)的所述第一主轴(222)关于所述探测器元件基板(21)的所述第二主轴(212)被基本上垂直地取向。

3.根据权利要求1所述的辐射探测器元件，其中，所述两个熔合的焊球中的所述第一个(451)和/或所述两个熔合的焊球中的所述第二个(452)的成分包含铋。

4.根据权利要求3所述的辐射探测器元件，其中，所述两个熔合的焊球中的所述第一个(451)和/或所述两个熔合的焊球中的所述第二个(452)的成分包含铋-锡合金或铋-锡-铟合金。

5.根据权利要求1所述的辐射探测器元件，还包括被耦合到所述光电二极管的闪烁材料(23)。

6.根据权利要求5所述的辐射探测器元件，其中，所述闪烁材料(23)包括两个层叠的闪烁层(231、232)。

7.根据权利要求1所述的辐射探测器元件，还包括被耦合到所述光电二极管的辐射屏蔽元件(24)。

8.根据权利要求7所述的辐射探测器元件，其中，所述辐射屏蔽元件(24)为包括钨的屏蔽元件。

9.根据权利要求1所述的辐射探测器元件，包括至少32个连接，并且，包括至少16个光电二极管。

10.根据权利要求9所述的辐射探测器元件，包括至少36个连接。

11.根据前述权利要求中的任一项所述的辐射探测器元件，其中，所述第一主表面位于第一平面中，并且所述第二主表面位于第二平面中，所述第一平面和所述第二平面关于彼此横向地对准。

12.一种医学成像设备(1)，包括至少一个根据前述权利要求中的任一项所述的辐射探测器元件(2)。

13.根据权利要求12所述的医学成像设备(1)，其中，所述医学成像设备是计算机断层摄影设备。

14.一种用于构造辐射探测器的方法，所述辐射探测器包括：至少一个光电二极管，其具有沿着第一主轴延伸的第一主表面；和探测器元件基板，其具有沿着第二主轴延伸的第二主表面；所述方法包括以下步骤：

-将第一焊球应用(501)于所述光电二极管的所述第一主表面；

-将第二焊球应用(511)于所述探测器元件基板的所述第二主表面；

-压扁(502)所述第一焊球和/或所述第二焊球；

-定位(504)所述光电二极管，使得所述第一主轴关于所述第二主轴以角度α被横向地取向，其中，所述第一焊球和所述第二焊球关于彼此被邻近地放置，使得所述第一焊球在加热后膨胀时将湿润所述第二焊球；

-将所述第一焊球和所述第二焊球加热(505)到高于所述第一焊球和所述第二焊球的熔点的温度。

15.根据权利要求14所述的方法，还包括将闪烁层(43)和/或屏蔽层(44)应用(503)于所述光电二极管(42)。

16.根据权利要求14所述的方法，其中，α在80°与90°之间。

17.根据权利要求16所述的方法，其中，α在85°与90°之间。

18.根据权利要求16所述的方法，其中，α在89°与90°之间。

19.根据权利要求16所述的方法，其中，α在89.5°与90°之间。

20.根据权利要求14所述的方法，其中，压扁(502)所述第一焊球和/或所述第二焊球的所述步骤包括压制所述第一焊球和/或所述第二焊球。