[发明专利]含有焊料的半导体器件、安装的含有焊料的半导体器件、含有焊料的半导体器件的制造方法和安装方法

权利要求书

1.一种含有焊料的半导体器件，包括半导体器件，

所述半导体器件包括：

衬底；

布置在所述衬底上的至少一层III族氮化物半导体层；

布置在所述III族氮化物半导体层上的肖特基电极；和

布置在所述肖特基电极上的焊垫电极，

所述焊垫电极具有包括至少Pt层的多层结构，

所述含有焊料的半导体器件还包括具有200至230℃的熔点并且布置在所述半导体器件的所述焊垫电极上的焊料。

2.根据权利要求1所述的含有焊料的半导体器件，其中

所述含有焊料的半导体器件还包括具有开口并且布置在所述III族氮化物半导体层上的介电层，并且

所述肖特基电极布置在所述III族氮化物半导体层的位于所述介电层的所述开口内的部分上。

3.根据权利要求1或2所述的含有焊料的半导体器件，其中

所述衬底是III族氮化物衬底。

4.根据权利要求1至3中的任一项所述的含有焊料的半导体器件，其中

所述衬底是复合衬底，所述复合衬底包括底层衬底和直接或间接地接合到所述底层衬底的III族氮化物膜。

5.根据权利要求4所述的含有焊料的半导体器件，其中

所述含有焊料的半导体器件包括从所述复合衬底移除所述底层衬底之后留下作为所述衬底的所述III族氮化物膜。

6.根据权利要求1至5中的任一项所述的含有焊料的半导体器件，其中

所述焊料包括从由Sn-Ag、Sn-Cu、Sn-Ag-Cu、Sn-In-Bi、Sn-Ag-Cu-Bi和Sn-Ag-Bi-In组成的组中选择的至少一种合金。

7.根据权利要求1至6中的任一项所述的含有焊料的半导体器件，其中

所述Pt层具有30nm或更大的厚度。

8.根据权利要求2所述的含有焊料的半导体器件，其中

所述介电层包括从由Si₃N₄和SiO₂组成的组中选择的至少一种硅化合物。

9.一种安装的含有焊料的半导体器件，包括根据权利要求1至8中的任一项所述的含有焊料的半导体器件，其中

通过将所述含有焊料的半导体器件的所述焊料接合到封装，来将所述含有焊料的半导体器件安装到所述封装。

10.一种制造含有焊料的半导体器件的方法，包括形成半导体器件的步骤，

形成半导体器件的步骤包括：

在衬底上形成至少一层III族氮化物半导体层的子步骤；

在所述III族氮化物半导体层上形成肖特基电极的子步骤；和

在所述肖特基电极上形成焊垫电极的子步骤，

所述焊垫电极具有包括至少Pt层的多层结构，

所述方法还包括在所述半导体器件的所述焊垫电极上布置具有200至230℃的熔点的焊料的步骤。

11.根据权利要求10所述的制造含有焊料的半导体器件的方法，其中

形成半导体器件的步骤还包括在形成所述III族氮化物半导体层的子步骤之后并且在形成所述肖特基电极的子步骤之前执行的在所述III族氮化物半导体层上形成具有开口的介电层的子步骤，和

在形成所述肖特基电极的子步骤中，将所述肖特基电极形成在所述III族氮化物半导体层的位于所述介电层的所述开口内的部分上。

12.一种安装含有焊料的半导体器件的方法，包括以下步骤：

制备根据权利要求1至4中的任一项所述的含有焊料的半导体器件；和

在200至230℃的温度下将所述含有焊料的半导体器件的所述焊料接合到封装以安装所述含有焊料的半导体器件。

13.一种安装含有焊料的半导体器件的方法，包括以下步骤：

制备根据权利要求4所述的含有焊料的半导体器件；

在200至230℃的温度下将所述含有焊料的半导体器件的所述焊料接合到封装以安装所述含有焊料的半导体器件；和

从所述含有焊料的半导体器件的所述复合衬底移除所述底层衬底。