[发明专利]栅极驱动电路有效
申请号: | 201480001940.0 | 申请日: | 2014-08-18 |
公开(公告)号: | CN104584433B | 公开(公告)日: | 2018-09-25 |
发明(设计)人: | 河井康史;永井秀一 | 申请(专利权)人: | 松下知识产权经营株式会社 |
主分类号: | G05F5/00 | 分类号: | G05F5/00;H03K17/0412;H03K17/691;H02M1/08 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 徐殿军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 栅极 驱动 电路 | ||
1.绝缘型的栅极驱动电路,驱动半导体开关元件,具有:
调制电路,生成根据第一输入信号对第一高频进行调制而得到的第一被调制信号、和根据与所述第一输入信号不同的第二输入信号对所述第一高频进行调制而得到的第二被调制信号;
绝缘传输部,由包含对所述第一被调制信号进行绝缘传输的第一电磁场谐振耦合器、和对所述第二被调制信号进行绝缘传输的第二电磁场谐振耦合器的多个电磁场谐振耦合器构成;
第一整流电路,对通过所述第一电磁场谐振耦合器绝缘传输的所述第一被调制信号进行整流,由此生成第一信号;
第二整流电路,对通过所述第二电磁场谐振耦合器绝缘传输的所述第二被调制信号进行整流,由此生成第二信号;
第三整流电路,对通过所述多个电磁场谐振耦合器中的一个电磁场谐振耦合器绝缘传输的第二高频进行整流,由此生成充电用电压;
电容器,根据所述充电用电压被充电;以及
输出电路,根据所述第一信号及所述第二信号中的至少一方,选择是否将对所述电容器充电的电荷提供给所述半导体开关元件的栅极端子。
2.根据权利要求1所述的栅极驱动电路,
所述绝缘传输部还包含对所述第二高频进行绝缘传输的第三电磁场谐振耦合器。
3.根据权利要求2所述的栅极驱动电路,
所述第二高频的振幅的最大值大于所述第一被调制信号及所述第二被调制信号的振幅的最大值。
4.根据权利要求2所述的栅极驱动电路,
所述栅极驱动电路还具有生成所述第一高频和所述第二高频的高频生成器。
5.根据权利要求4所述的栅极驱动电路,
所述高频生成器还包括:
频率分配滤波器,将高频分离为基波成分和高次谐波成分,并将所述基波成分作为所述第二高频输出,将所述高次谐波成分作为所述第一高频输出。
6.根据权利要求4所述的栅极驱动电路,
所述高频生成器还包括改变所述第二高频的振幅的放大电路。
7.根据权利要求6所述的栅极驱动电路,
所述放大电路根据输入到控制端子的信号来改变所述第二高频的振幅,
在所述输出电路不向所述半导体开关元件的栅极端子提供所述电荷时,所述第三整流电路输出所述充电用电压,在所述输出电路向所述半导体开关元件的栅极端子提供所述电荷时,所述第三整流电路不输出所述充电用电压。
8.根据权利要求1所述的栅极驱动电路,
所述第二被调制信号包括所述第二高频,
所述第三整流电路对通过所述第二电磁场谐振耦合器绝缘传输的所述第二被调制信号进行整流,由此生成所述充电用电压。
9.根据权利要求8所述的栅极驱动电路,
所述第二被调制信号的振幅的最大值大于所述第一被调制信号的振幅的最大值。
10.根据权利要求8所述的栅极驱动电路,
所述栅极驱动电路还具有放大电路,该放大电路设于所述调制电路和所述第二电磁场谐振耦合器之间,并对所述第二被调制信号进行放大。
11.根据权利要求8所述的栅极驱动电路,
所述栅极驱动电路还具有生成所述第一高频的高频振荡电路。
12.根据权利要求8所述的栅极驱动电路,
在所述输出电路不向所述半导体开关元件的栅极端子提供所述电荷时,所述第三整流电路输出所述充电用电压,在所述输出电路向所述半导体开关元件的栅极端子提供所述电荷时,所述第三整流电路不输出所述充电用电压。
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