[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，具有：

具有主表面的衬底；

形成于所述衬底的所述主表面上的第1绝缘膜；

形成于所述第1绝缘膜之上的第1线圈及第1布线；

形成于所述第1线圈及所述第1布线之上的第2绝缘膜；

形成于所述第2绝缘膜之上的第2布线；

形成于所述第2布线之上的第3绝缘膜；以及

形成于所述第3绝缘膜之上的第2线圈及第3布线，

所述第1线圈在俯视下与所述第2线圈重合，

所述第2线圈与所述第3布线之间的最短距离比剖视下所述第1线圈与所述第2线圈之间的最短距离大，

在剖视下在所述第2线圈与所述第3布线之间的最短距离上没有配置布线。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

所述第2线圈与所述第2布线之间的最短距离大于等于剖视下所述第1线圈与所述第2线圈之间的最短距离，

在剖视下在所述第2线圈与所述第2布线之间的最短距离上没有配置布线。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，

在剖视下在所述第1线圈与所述第2线圈之间配置有绝缘膜。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

所述第2布线、所述第2线圈及所述第3布线各自的膜厚在所述衬底的膜厚方向上为3μm以上。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，

所述第2绝缘膜及所述第3绝缘膜由无机绝缘膜构成。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，

位于所述第1线圈与所述第2线圈之间的所述第2绝缘膜与所述第3绝缘膜的膜厚之和在所述衬底的膜厚方向上为5μm以上。

7.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，

所述第2线圈与所述第3布线之间的最短距离比剖视下所述第2线圈与所述第2布线之间的最短距离大。

8.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，

所述第2线圈具有第1焊盘、第2焊盘、和包围所述第1焊盘的线圈部，

所述线圈部的一端与所述第1焊盘连接，

所述线圈部的另一端与所述第2焊盘连接，

所述第1焊盘和所述第2焊盘各自的平面形状为边数比四边形多的多边形。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

所述第2布线和所述第3布线在形成于所述第3绝缘膜中的开口部连接，

所述开口部的平面形状为边数比四边形多的多边形。