[发明专利]底部填充材料以及采用它的半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201480002243.7 | 申请日： | 2014-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN104956471B | 公开（公告）日： | 2020-05-01 |
| 发明（设计）人： | 森山浩伸 | 申请（专利权）人： | 迪睿合株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;C08G59/18 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 何欣亭;姜甜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 底部 填充 材料 以及 采用 半导体 装置 制造 方法 | ||
1.一种底部填充材料，在将形成有带焊料的电极的半导体芯片搭载于形成有与带焊料的电极对置的对置电极的电子部件之前，被预先贴合在半导体芯片，所述底部填充材料，
含有膜形成树脂、环氧树脂和包含酸酐或咪唑类硬化剂的至少一种的硬化剂，
通过使用基于用差示扫描热量计测量的多个等速升温数据的反应预测的小泽法算出的240℃下的反应率达到20％的时间为2.0秒以下，该反应率达到60％的时间为3.0秒以上。
2.如权利要求1所述的底部填充材料，其中，所述反应率为20％时的粘度为0.2×104Pa·s以上，所述反应率为60％时的粘度为500×104Pa·s以下。
3.如权利要求1或2所述的底部填充材料，其中，
所述环氧树脂为双环戊二烯型环氧树脂，
所述酸酐为脂肪族酸酐。
4.如权利要求1或2所述的底部填充材料，其中，还含有丙烯树脂和有机过氧化物。
5.如权利要求3所述的底部填充材料，其中，还含有丙烯树脂和有机过氧化物。
6.如权利要求4所述的底部填充材料，其中，
所述丙烯树脂为2官能（甲基）丙烯酸酯，
所述有机过氧化物为过氧酯。
7.如权利要求5所述的底部填充材料，其中，
所述丙烯树脂为2官能（甲基）丙烯酸酯，
所述有机过氧化物为过氧酯。
8.如权利要求1所述的底部填充材料，其中，所述膜形成树脂的重量平均分子量为10×104以上。
9.如权利要求1所述的底部填充材料，其中，所述多个等速升温数据至少含有5℃/min、10℃/min及20℃/min的升温速度下的等速升温数据。
10.一种半导体装置的制造方法，其中包括：
搭载工序，将形成有带焊料的电极并且在该电极面贴合有底部填充材料的半导体芯片，搭载于形成有与所述带焊料的电极对置的对置电极的电子部件；以及
热压接工序，将所述半导体芯片和所述电子部件热压接，
所述底部填充材料含有膜形成树脂、环氧树脂和包含酸酐或咪唑类硬化剂的至少一种的硬化剂，通过使用基于用差示扫描热量计测量的多个等速升温数据的反应预测的小泽法算出的240℃下的反应率达到20％的时间为2.0秒以下，该反应率达到60％的时间为3.0秒以上。
11.如权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其中，所述多个等速升温数据至少含有5℃/min、10℃/min及20℃/min的升温速度下的等速升温数据。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
