[发明专利]导电性粒子及其制造方法在审
| 申请号： | 201480002395.7 | 申请日： | 2014-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN105378855A | 公开（公告）日： | 2016-03-02 |
| 发明（设计）人： | 瓦谷浩一;马渡芳夫 | 申请（专利权）人： | 三井金属矿业株式会社 |
| 主分类号： | H01B5/00 | 分类号： | H01B5/00;C01B13/14;C01B13/18;C01G19/00;H01B1/00;H01B1/20;H01B13/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 张楠;陈建全 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 导电性 粒子 及其 制造 方法 | ||
1.一种导电性粒子，其是在芯材的表面具有由含有掺杂元素的导电性氧化锡构成的覆盖层的导电性粒子，其中，
在覆盖层中，掺杂元素偏在于覆盖层的表面侧。
2.根据权利要求1所述的导电性粒子，其中，在覆盖层中，掺杂元素的量从所述覆盖层的表面侧朝着芯材侧递减。
3.根据权利要求1或2所述的导电性粒子，其中，所述导电性粒子的BET比表面积为15m2/g～50m2/g，体积电阻为1.0×100Ω·cm～1.0×103Ω·cm。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的导电性粒子，其中，L*a*b*系色品图色坐标的L值为70以上，a值为-5.0～-3.0，b值为-9.0～-4.0。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的导电性粒子，其中，相对于1mol锡，含有0.01mol～0.60mol的掺杂元素。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的导电性粒子，其中，掺杂元素至少为锑。
7.一种导电性粒子的制造方法，其是权利要求1所述的导电性粒子的制造方法，所述制造方法具有下述工序：
第1工序，通过将含有锡源且分散有芯材的浆料中和，从而使锡化合物覆盖于所述芯材的表面；
第2工序，在第1工序后的浆料中存在有锡源的状态下，通过添加掺杂元素源并同时中和所述浆料，从而使含有掺杂元素的锡化合物覆盖于所述的锡化合物上；以及
第3工序，将第2工序中得到的粒子进行烧成。
8.一种导电性组合物，其含有权利要求1～6中任一项所述的导电性粒子。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三井金属矿业株式会社，未经三井金属矿业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201480002395.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
