[发明专利]用于功率半导体装置的场板结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201480002396.1 | 申请日： | 2014-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN104737293A | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 单建安;伊夫蒂哈尔.艾哈迈德;伍震威 | 申请（专利权）人： | 伍震威 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L21/28 |
| 代理公司： | 深圳市千纳专利代理有限公司 44218 | 代理人： | 胡坚 |
| 地址： | 中国香港清水湾香港科技*** | 国省代码： | 中国香港;81 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 功率 半导体 装置 板结 及其 制造 方法 | ||
1.一种半绝缘场板结构，其包括在氧化硅(31)上方并且在功率半导体装置的表面处的金属电极(21、22、23)之间的半绝缘层(34)。
2.根据权利要求1所述的半绝缘场板结构，其中所述半绝缘层(34)包括任何高电阻率材料，包含但不限于，氮化钛、多晶硅以及非晶硅。
3.根据权利要求1所述的半绝缘场板结构，其中所述半绝缘层(34)由侧壁处的所述金属电极(21、22/23)接触。
4.根据权利要求1所述的半绝缘场板结构，其实施于LDMOS中。
5.根据权利要求1所述的半绝缘场板结构，其实施于LIGBT中。
6.根据权利要求1所述的半绝缘场板结构，其实施于垂直功率MOSFET中。
7.根据权利要求1所述的半绝缘场板结构，其实施于功率BJT中。
8.根据权利要求1所述的半绝缘场板结构，其实施于IGBT中。
9.根据权利要求1所述的半绝缘场板结构，其实施于闸流晶体管中。
10.一种用于制造半绝缘场板结构的制造方法，所述制造方法包括
通过将覆盖装置晶片的硅表面的氧化硅(31)图案化形成接触孔(41)，
将薄半绝缘层(34)沉积在所述晶片的整个表面上，
沉积以及图案化所述薄半绝缘层(34)上的金属电极(21、22/23)以及
退火以使所述金属电极(21、22/23)穿过所述薄半绝缘层(34)。
11.根据权利要求10所述的制造方法，其中所述半绝缘层(34)包括任何高电阻率材料，包含但不限于，氮化钛、多晶硅以及非晶硅。
12.根据权利要求10所述的制造方法，其中所述沉积方法包含化学气相沉积、低压化学气相沉积、等离子体增强化学气相沉积或溅镀。
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