[发明专利]透明化合物半导体及其P型掺杂方法在审
| 申请号： | 201480002425.4 | 申请日： | 2014-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN104641422A | 公开（公告）日： | 2015-05-20 |
| 发明（设计）人： | 车国麟;任志淳 | 申请（专利权）人： | 瑞福龙株式会社 |
| 主分类号： | H01B1/08 | 分类号： | H01B1/08;H01B13/00 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人： | 王达佐;洪欣 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 透明 化合物 半导体 及其 掺杂 方法 | ||
1.P型掺杂透明化合物半导体，其包含掺杂有M(M是Ru、Ga、Cu、Zn、K、Na以及Rb中的一种)的(Ba,Sr)SnO3和SnO2之一，
其中(Ba,Sr)SnO3是指Ba1-ySrySnO3(0≤y≤1.0)。
2.如权利要求1所述的P型掺杂透明化合物半导体，其具有组成(Ba,Sr)Sn1-xMxO3(0<x≤0.7)，
其中M是Ru、Ga、Cu和Zn中的一种，并且(Ba,Sr)Sn1-xMxO3是指Ba1-ySrySn1-xMxO3(0≤y≤1.0)。
3.如权利要求1所述的P型掺杂透明化合物半导体，其具有组成(Ba,Sr)1-xMxSnO3(0<x≤0.7)，
其中M是K、Na和Rb中的一种，并且(Ba,Sr)1-xMxSnO3是指(Ba1-ySry)1-xMxSnO3(0≤y≤1.0)。
4.如权利要求1所述的P型掺杂透明化合物半导体，其具有组成Sn1-xMxO2(0<x≤0.7)，
其中M是Ru。
5.P型掺杂透明化合物半导体，其具有组成(Ba,Sr)Sn1-xRuxO3(0<x≤0.7)，
其中(Ba,Sr)是指Ba1-ySry(0≤y≤1.0)。
6.如权利要求5所述的P型掺杂透明化合物半导体，其中通过用Ru掺杂(Ba,Sr)SnO3来形成(Ba,Sr)Sn1-xRuxO3。
7.P型掺杂透明化合物半导体，其具有组成(Ba,Sr)1-xKxSnO3(0<x≤0.7)，
其中(Ba,Sr)是指Ba1-ySry(0≤y≤1.0)。
8.如权利要求7所述的P型掺杂透明化合物半导体，其中通过用K掺杂(Ba,Sr)SnO3来形成(Ba,Sr)1-xKxSnO3。
9.P型掺杂透明化合物半导体的制备方法，通过用M(M是Ru、Ga、Cu、Zn、K、Na和Rb中的一种)取代(Ba,Sr)SnO3和SnO2之一中包含的(Ba,Sr)和Sn之一来进行P型掺杂。
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