[发明专利]使用研磨带对具有定向平面等切缺部的由晶体材料构成的晶片的周缘进行研磨来制造圆形晶片的方法有效
申请号: | 201480003185.X | 申请日: | 2014-01-08 |
公开(公告)号: | CN104812527B | 公开(公告)日: | 2018-01-23 |
发明(设计)人: | 山口直宏 | 申请(专利权)人: | 米波克斯株式会社 |
主分类号: | B24B9/00 | 分类号: | B24B9/00;B24B21/16;H01L21/304 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人: | 陈伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 使用 研磨 具有 定向 平面 切缺部 晶体 材料 构成 晶片 周缘 进行 制造 圆形 方法 | ||
1.一种圆形晶片的制造方法,其通过使用研磨带对由晶体材料构成的圆板状的晶片的周缘进行研磨来制造圆形晶片,其中所述周缘具有定向平面和外周部,
该制造方法包括以下对外周部进行研磨的工序:一边使在具有铅垂的旋转轴的水平的晶片台上进行定心而配置的晶片的外周部与研磨体抵接,一边使所述晶片台在小于一圈的规定的旋转角度的范围内绕所述旋转轴交替地进行正转及反转,由此对晶片的外周部进行研磨,
所述研磨体包括研磨带而构成,该研磨带通过配置于平坦的研磨垫而划分出平坦的研磨面,
所述平坦的研磨面被向晶片的半径方向按压并与晶片的周缘抵接,并且在与所述定向平面变为相对地平行时不与晶片的周缘抵接,
所述规定的旋转角度被确定为比180度大且比360度小的角度θ,以使得所述定向平面与所述平坦的研磨面不会变为相对地平行,在所述对外周部进行研磨的工序期间,防止所述平坦的研磨面与晶片的周缘之间的间歇性的接触并维持抵接。
2.根据权利要求1所述的圆形晶片的制造方法,其特征在于,
所述规定的旋转角度确定为由所述圆板状的晶片的定向平面的两端部或分别位于该定向平面的两端部附近的外周部上的两个点、和所述圆板状的晶片的中心形成的角度θ。
3.根据权利要求1所述的圆形晶片的制造方法,其特征在于,
还包括以下工序:在通过所述对外周部进行研磨的工序形成的晶片的定向平面附近的外周部的一部分成为直线状时,进一步使所形成的所述晶片的定向平面与所述研磨面抵接并沿着水平轴线直线地相对摆动,由此对所述定向平面进行研磨。
4.根据权利要求1所述的圆形晶片的制造方法,其特征在于,
在所述对外周部进行研磨的工序中,使所述晶片台在如下范围内进行正转及反转,即,要形成的晶片的外周部整体成为圆弧状的旋转角度的范围内。
5.根据权利要求1所述的圆形晶片的制造方法,其特征在于,
所述晶片为半导体晶片。
6.根据权利要求1所述的圆形晶片的制造方法,其特征在于,
在所述对外周部进行研磨的工序中,所述研磨面经由具有弹性的研磨垫被按压于所述晶片的外周部,所述研磨面不会从所述晶片的周缘分离。
7.根据权利要求1所述的圆形晶片的制造方法,其特征在于,
在所述对外周部进行研磨的工序中,使所述晶片台与所述研磨面沿着水平轴线相对摆动。
8.根据权利要求1所述的圆形晶片的制造方法,其特征在于,
还包括以下工序:
沿着该晶片的外周部测定通过所述对外周部进行研磨的工序形成的该晶片的半径,设定该测定的半径中的最小半径以下的半径,沿着所形成的所述晶片的外周部确定该设定的半径与所述测定的半径的差即Δr的工序;和
确定所述Δr比规定值大的外周部的部分所对应的角度θp的工序,其中该角度θp为所述规定的旋转角度的范围内的角度。
9.根据权利要求8所述的圆形晶片的制造方法,其特征在于,
包括以下工序:一边使在所述晶片台上进行定心而配置的由晶体材料构成的晶片的外周部与所述研磨体抵接,一边使所述晶片台在所述规定的旋转角度的范围内以基准的旋转速度绕所述旋转轴进行正转及反转,由此对所述晶片的外周部进行研磨,
在该进行研磨的工序中,使所述晶片台和所述研磨面沿着水平轴线相对摆动,
在所确定的所述外周部的部分所对应的角度θp内,使所述晶片台的旋转速度比所述基准的旋转速度降低。
10.根据权利要求8所述的圆形晶片的制造方法,其特征在于,
包括以下工序:使在所述晶片台上进行定心而配置的由晶体材料构成的晶片的与所确定的所述角度θp对应的外周部的部分和所述研磨体抵接,使所述晶片台在所确定的所述角度θp的范围内绕所述旋转轴进行正转及反转来对所述外周部的部分进行研磨。
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