[发明专利]研磨物的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及研磨物的制造方法。

背景技术

以往，对于基板的磨削方法，提出的方案是利用平面磨削加工用砂轮，磨削半导体基板的正反面，直到半导体基板达到所需要的厚度，所述平面磨削加工用砂轮具有砂轮座，平衡壁位于砂轮座的外周部，所述平衡壁设置在与环状外周壁突出的表面相反的表面上，并向与该环状外周壁相反的方向突出地设置(例如，参考专利文献1)。按照这种方法，能够提供一种即使砂轮高速旋转也能抑制砂轮座变形，并维持磨削品质与磨削精度的平面磨削加工用砂轮。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2005-271160号公报

发明内容

      发明要解决的问题      

但是，对于专利文献1中记载的磨削方法，以1500rpm～10000rpm进行高速旋转，以尽可能短的时间进行磨削处理，利用之后的研磨工序，进行进一步提高平滑度的处理。通过这种磨削工序，表面发生变形、变质层、微裂痕等，所获得的表面粗糙度较大。对此，可通过之后的研磨工序去除变形、变质层、微裂痕等来处理。但是，研磨工序非常花费时间，存在完成磨削以及研磨工序的处理时间长的问题。

鉴于上述问题的存在，本发明的目的在于提供一种能够进一步提高磨削工序加工品质的研磨物的制造方法。本发明的目的还在于提供一种能够进一步缩短处理时间的研磨物的制造方法。

      用于解决问题的方法      

为了实现上述主要目的，发明人们潜心研究发现，综合考虑处理时间，通过重新研究磨削工序的处理，能够进一步提高磨削工序的加工品质，进而能够进一步缩短磨削以及研磨工序处理时间，最终完成了本发明。

即，本发明的研磨物的制造方法是处理被研磨物来制造研磨物的方法，所述制造方法包含磨削工序，所述磨削工序利用以10m/s以下的圆周速度旋转的砂轮磨削上述被研磨物表面。

      发明的效果      

本发明的研磨物的制造方法，能够进一步提高磨削工序的加工品质，进而能够进一步缩短磨削以及研磨工序的处理时间。其理由是因为，在磨削工序中，通过以往未使用的较低速的磨削处理，能够抑制由于加工而产生的变形、变质层、微裂痕等的生成。因此，虽然增加了磨削工序的处理时间，但是能够大幅地缩短磨削工序之后的研磨工序所需的时间，从而能够缩短磨削以及研磨工序的处理时间。

附图说明

图1为显示基板加工处理的一例的流程图。

图2为显示本实施方式中磨削装置10结构的一例的概略结构图。

图3为显示本实施方式中研磨加工装置20结构的一例的概略结构图。

图4为显示本实施方式中CMP装置30结构的一例的概略结构图。

图5为实施例1以及对照例1中磨削后的表面图像。

具体实施方式

接下来，利用附图说明本发明的实施方式。图1为显示本发明一个实施方式中基板加工处理的一例的流程图。图2为显示本实施方式中磨削装置10结构的一例的概略结构图。图3为显示本实施方式中研磨加工装置20结构的一例的概略结构图。图4为显示本实施方式中CMP(chemical mechanical polishing)装置30结构的一例的概略结构图。

本实施方式中的研磨物制造方法通过下列步骤来获得经研磨处理的研磨物，其包含：通过切断圆柱形锭料以获得圆盘形被研磨物的切断工序(步骤S100)，磨削通过切断获得的被研磨物的磨削工序(步骤S110)，研磨磨削后的被研磨物的研磨工序(步骤S120)，进一步添加了化学处理的研磨用CMP工序(步骤S130)和用于表面清洗的清洗工序(步骤S140)。本文以磨削工序，研磨工序，CMP工序为主进行说明。此外，可适当地省去研磨工序和CMP工序，也可适当地增加如抛光工序等上述提及之外的其它工序。

被研磨物18包含例如，各种半导体晶片或单晶晶片等，也包含硅、氧化硅、氧化铝、蓝宝石、碳化硅或氮化镓、磷酸镓、砷镓、磷化铟、铌酸锂、钽酸锂等化合物半导体。

(磨削工序)