[发明专利]用于制备SiO的设备与方法有效
申请号: | 201480003273.X | 申请日: | 2014-05-16 |
公开(公告)号: | CN104854027B | 公开(公告)日: | 2017-07-18 |
发明(设计)人: | 郑相允;郑汉那;朴哲凞;朴致成;金宰贤 | 申请(专利权)人: | LG化学株式会社 |
主分类号: | C01B33/113 | 分类号: | C01B33/113;B01J19/18 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司11327 | 代理人: | 许向彤,陈英俊 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 制备 sio 设备 方法 | ||
1.一种用于制备SiO的设备,包括:
反应单元,所述反应单元被配置为接收SiO制备材料并通过加热使所接收的材料发生反应来生成SiO气体;以及
收集单元,所述收集单元被配置为将其内部温度保持为低于所述反应单元的内部温度,所述收集单元包括位于其内部空间中的旋转部件,
其中,所述收集单元通过将由所述反应单元生成的SiO气体经由在所述收集单元的至少一侧形成的入口导入并使所导入的SiO气体沉积在所述旋转部件的表面上来收集SiO沉积物,并且
其中,所述收集单元还包括移除部件并且通过由所述移除部件所注射的气体来控制所述收集单元的内部温度,所述移除部件用于通过将气体注射至所述旋转部件的表面上来将所述SiO沉积物从所述旋转部件的表面分开。
2.如权利要求1所述的用于制备SiO的设备,
其中,所述旋转部件包括围绕中心轴旋转的旋转体,且经由所述入口导入的所述气体被沉积在所述旋转体的表面上。
3.如权利要求2所述的用于制备SiO的设备,
其中,所述旋转体具有圆柱形,且以圆周方向旋转。
4.如权利要求1所述的用于制备SiO的设备,
其中,所述旋转部件包括带子以及至少一个转轮,且经由所述入口导入的所述气体被沉积在所述带子的表面上。
5.如权利要求4所述的用于制备SiO的设备,
其中,在所述SiO气体被导入的同时,所述收集单元使所述转轮旋转来移动所述带子。
6.如权利要求4所述的用于制备SiO的设备,
其中,所述转轮中的至少一个转轮在其前侧形式中具有圆形或多边形的形状。
7.如权利要求4所述的用于制备SiO的设备,
其中,所述转轮中的至少一个转轮在其与所述带子接触的表面上具有不平坦性。
8.如权利要求7所述的用于制备SiO的设备,
其中,在所述转轮的旋转方向中形成所述不平坦性。
9.如权利要求4所述的用于制备SiO的设备,
其中,所述转轮包括三个或三个以上个所述旋转部件,并且所述带子具有三个或三个以上个弯曲部分。
10.如权利要求9所述的用于制备SiO的设备,
其中,所述入口形成于所述收集单元的上部部分中,并且
其中,所述旋转部件被形成为使得所述带子的上部部分的长度方向为水平方向。
11.如权利要求1所述的用于制备SiO的设备,
其中,所述收集单元通过由所述移除部件所注射的气体来冷却所述旋转部件的表面。
12.如权利要求1所述的用于制备SiO的设备,
其中,所述移除部件使所述旋转部件振动。
13.如权利要求1所述的用于制备SiO的设备,
其中,所述收集单元将其内部温度保持在200℃至500℃的范围中。
14.如权利要求1所述的用于制备SiO的设备,
其中,所述收集单元将其内部空间保持在减压状态。
15.如权利要求1所述的用于制备SiO的设备,
其中,所述旋转部件的至少一部分位于所述入口处。
16.如权利要求1所述的用于制备SiO的设备,
其中,所述收集单元包括引导管,所述引导管用于将经由所述入口导入的SiO气体引导到所述旋转部件。
17.如权利要求1所述的用于制备SiO的设备,还包括供应单元,所述供应单元被配置为储存SiO制备材料,并且自动地将所述SiO制备材料供应至所述反应单元。
18.如权利要求1所述的用于制备SiO的设备,
其中,所述反应单元将所供应的材料加热至1200℃至1500℃的温度。
19.一种用于制备SiO的方法,包括:
将SiO制备材料供应至反应单元;
通过加热使所接收的材料在该反应单元中反应,以生成SiO气体;
将所生成的SiO气体导入至收集单元,所述收集单元保持其内部温度低于所述反应单元的内部温度,并且所述收集单元包括旋转部件;
使所述SiO气体沉积至所述旋转部件的表面上,以形成SiO沉积物;以及
收集所形成的SiO沉积物,
其中,所述收集步骤包括通过将气体注射至所述旋转部件的表面上来将所述SiO沉积物从所述旋转部件的表面分开,以及通过注射到所述旋转部件的所述表面的气体来控制所述收集单元的所述内部温度。
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