[发明专利]防放电结构体无效
申请号: | 201480003411.4 | 申请日: | 2014-03-12 |
公开(公告)号: | CN104871279A | 公开(公告)日: | 2015-08-26 |
发明(设计)人: | 田口真实;内藤孝;梶原悟 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立制作所 |
主分类号: | H01H33/662 | 分类号: | H01H33/662;C04B37/02;H02B13/02 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;李炬 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 放电 结构 | ||
1.一种防放电结构体,其包括:具有金属化部的陶瓷部件;与所述金属化部接触的金属部件;和接合所述陶瓷部件和所述金属部件的钎料,所述防放电结构体的特征在于:
形成有由含钒并具有导电性的玻璃覆盖所述金属化部的尖端而成的加厚部。
2.如权利要求1所述的防放电结构体,其特征在于:
所述加厚部的露出面由曲面构成。
3.如权利要求1所述的防放电结构体,其特征在于:
所述加厚部含有金属颗粒。
4.如权利要求1所述的防放电结构体,其特征在于:
所述加厚部的导电率为1.00×105S/m以上。
5.如权利要求1所述的防放电结构体,其特征在于:
所述玻璃与所述金属部件之间的接合强度、或者所述玻璃与所述陶瓷部件之间的接合强度为5MPa以上。
6.如权利要求1所述的防放电结构体,其特征在于:
所述玻璃还含有Ag和Te。
7.如权利要求1所述的防放电结构体,其特征在于:
所述玻璃含有V2O5、Ag2O和TeO2,并且按氧化物换算V2O5、Ag2O和TeO2的合计含有率为75质量%以上。
8.如权利要求1所述的防放电结构体,其特征在于:
所述陶瓷部件为散热基板。
9.一种真空阀,其特征在于:
具有权利要求1所述的防放电结构体。
10.一种真空开关,其特征在于:
其是利用环氧树脂对权利要求9所述的真空阀进行模制而成的。
11.一种真空绝缘开关设备,其特征在于:
其是利用环氧树脂对权利要求9所述的真空阀进行模制而成的。
12.一种防放电结构体的制造方法,该防放电结构体包括具有金属化部的陶瓷部件和与所述金属化部接触的金属部件,并由钎料将所述陶瓷部件和所述金属部件接合,所述防放电结构体的制造方法的特征在于,包括:
将含有钒并具有导电性的玻璃加热至玻璃化温度以上且小于结晶温度的工序;和
形成覆盖所述金属化部的尖端的加厚部的工序。
13.如权利要求12所述的防放电结构体的制造方法,其特征在于:
所述形成加厚部的工序包含用模具对所述玻璃进行加压的工序。
14.如权利要求12所述的防放电结构体的制造方法,其特征在于:
所述形成加厚部的工序包含用加压面为曲面的模具对所述玻璃进行加压的工序。
15.如权利要求12所述的防放电结构体的制造方法,其特征在于:
所述形成加厚部的工序包含涂敷含有所述玻璃和溶剂的膏体的工序。
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