[发明专利]热辅助磁记录头、半导体激光元件以及半导体激光元件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体激光元件，其特征在于，具备：

基板，其由半导体构成；

发光部，其具有以所述基板为基底通过外延生长而依次层叠第1导电型半导体层、活性层和第2导电型半导体层的半导体层叠膜，并且由所述活性层形成条带状的光波导；

环状的保护壁，其与所述发光部相邻且由所述半导体层叠膜形成，并且包围以所述基板或第1导电型半导体层为底面的凹部；

第1电极，其配置在所述凹部的底面上；和

第2电极，其配置在所述发光部的上表面，

所述保护壁在与垂直于所述光波导的方向平行的方向具有保护壁，

所述保护壁在周向的多个位置被槽部分断。

2.根据权利要求1所述的半导体激光元件，其特征在于，

所述发光部和所述保护壁被以所述基板或第1导电型半导体层为底面的分离槽进行分离。

3.根据权利要求1或2所述的半导体激光元件，其特征在于，

所述保护壁在面向所述发光部的一方敞开。

4.一种热辅助磁记录头，其特征在于，具备：

权利要求1～3中任一项所述的半导体激光元件；和

进行磁记录的浮动块，

将所述基板的与所述光波导正交的端面粘结于所述浮动块。

5.一种半导体激光元件的制造方法，其特征在于，具备：

半导体层叠膜形成工序，在由半导体构成的基板上形成依次层叠第1导电型半导体层、活性层和第2导电型半导体层的半导体层叠膜；

脊部形成工序，对第2导电型半导体层进行蚀刻而形成条带状的脊部；

凹部形成工序，蚀刻与所述脊部相邻的区域直到比所述活性层更靠下层为止，从而形成由保护壁包围的凹部；

第1金属膜形成工序，在所述凹部的底面上层叠第1金属膜；和

第2金属膜形成工序，在第1金属膜上以及所述脊部上层叠第2金属膜，

由第1金属膜以及第2金属膜在所述凹部的底面上形成第1电极，并且由第2金属膜在所述脊部上形成第2电极，

所述保护壁在与垂直于所述脊部的方向平行的方向形成保护壁，

所述保护壁在周向的多个位置被槽部分断。