[发明专利]相变存储器

权利要求书

1.一种相变存储器，包括存储节点，其特征在于，所述存储节点包括：

下电极，用于连接衬底；

第一相变层，位于所述下电极之上，所述第一相变层在第一写电压的作用下呈现第一低阻值以及第一高阻值；

第二相变层，层叠于所述第一相变层之上，所述第二相变层在第二写电压的作用下呈现第二低阻值和第二高阻值，其中，所述第二写电压与所述第一写电压不同；

所述第一相变层的材料与所述第二相变层的材料不同，所述第二相变层的厚度小于所述第一相变层的厚度，所述第二相变层的相变温度高于所述第一相变层的相变温度，所述第二相变层和所述第一相变层中至少一个为纳米薄膜；

上电极，位于所述第二相变层之上；

所述存储节点根据所述第一相变层和所述第二相变层呈现的不同阻值存储不同的数据；

第三相变层，层叠于所述第二相变层之上，位于所述第二相变层与所述上电极之间，所述第三相变层在第三写电压的作用下呈现第三低阻值和第三高阻值，所述第三相变层的材料与所述第一相变层的材料不同，所述第三相变层的材料与所述第二相变层的材料不同，所述第三相变层的厚度小于所述第二相变层的厚度，所述第三相变层的相变温度高于所述第二相变层的相变温度。

2.根据权利要求1所述的相变存储器，其特征在于，所述第一相变层与所述第二相变层均由硫系化合物构成。

3.根据权利要求1所述的相变存储器，其特征在于，所述第一相变层的厚度为所述第二相变层的厚度的4-20倍。

4.根据权利要求1所述的相变存储器，其特征在于，所述第一低阻值、所述第一高阻值、所述第二低阻值和所述第二高阻值互不相同。

5.根据权利要求1所述的相变存储器，其特征在于，所述第一相变层由以下材料中的任意一种材料构成：GeTe、 Sb₂Te₃ 、 Ge₂Sb₂Te₅ 、AgInSbTe和BiTe，所述第二相变层由以下材料中的任意一种材料构成： Ge₂Sb₂Te₅ 、 Ge₁Sb₂Te₄ 、 Ge₁Sb₄Te₇ 和GeTe。

6.根据权利要求1所述的相变存储器，其特征在于，所述第二相变层的厚度为5-20纳米，所述第一相变层的厚度为80-100纳米。

7.根据权利要求1所述的相变存储器，其特征在于，所述第三相变层为硫系化合物。