[发明专利]碳化硅单晶晶片、和碳化硅单晶锭的制造方法

权利要求书

1.一种碳化硅单晶晶片，表面的基底面位错密度为1000个/cm²以下，贯通螺旋位错密度为500个/cm²以下，且拉曼指数为0.2以下，口径为150mm以上。

2.一种碳化硅单晶晶片，表面的基底面位错密度为500个/cm²以下，贯通螺旋位错密度为300个/cm²以下，且拉曼指数为0.15以下，口径为100mm以上。

3.根据权利要求1所述的碳化硅单晶晶片，拉曼指数为0.15以下。

4.根据权利要求1所述的碳化硅单晶晶片，拉曼指数为0.1以下。

5.根据权利要求2所述的碳化硅单晶晶片，拉曼指数为0.1以下。

6.根据权利要求1所述的碳化硅单晶晶片，表面的基底面位错密度为500个/cm²以下。

7.根据权利要求1～5的任一项所述的碳化硅单晶晶片，表面的基底面位错密度为300个/cm²以下。

8.根据权利要求1～5的任一项所述的碳化硅单晶晶片，表面的基底面位错密度为100个/cm²以下。

9.根据权利要求1～5的任一项所述的碳化硅单晶晶片，贯通螺旋位错密度为300个/cm²以下。

10.根据权利要求1～5的任一项所述的碳化硅单晶晶片，贯通螺旋位错密度为200个/cm²以下。

11.根据权利要求1～5的任一项所述的碳化硅单晶晶片，贯通螺旋位错密度为100个/cm²以下。

12.根据权利要求1～5的任一项所述的碳化硅单晶晶片，表面的基底面位错密度和贯通螺旋位错密度的合计为1000个/cm²以下。

13.根据权利要求1～5的任一项所述的碳化硅单晶晶片，表面的基底面位错密度和贯通螺旋位错密度的合计为500个/cm²以下。

14.根据权利要求1～5的任一项所述的碳化硅单晶晶片，表面的基底面位错密度和贯通螺旋位错密度的合计为300个/cm²以下。

15.一种碳化硅单晶锭的制造方法，是采用升华再结晶法在收纳于坩埚内的籽晶上使碳化硅单晶生长，来制造用于制作权利要求1～14的任一项所述的碳化硅单晶晶片的碳化硅单晶锭的方法，其特征在于，在单晶生长中控制来自单晶锭侧面的热量输入，一边抑制单晶锭的温度分布变化一边进行结晶生长，使用在2250℃以上的温度下进行了高温热处理的石墨毡作为配置在用于晶体培育的坩埚的周边的隔热材料。

16.根据权利要求15所述的碳化硅单晶锭的制造方法，高温热处理的温度为2450℃以上。

17.根据权利要求15所述的碳化硅单晶锭的制造方法，其特征在于，沿着籽晶安装区域的外周安装有热流束控制构件，所述热流束控制构件的室温热导率λ₂相对于形成安装籽晶的坩埚盖体的籽晶安装区域的构件的室温热导率λ₁具有1.1×λ₁≤λ₂的关系。

18.根据权利要求17所述的碳化硅单晶锭的制造方法，热流束控制构件的室温热导率λ₂满足1.2×λ₁≤λ₂的关系。