[发明专利]完全晶片级封装的MEMS麦克风及其制造方法

权利要求书

1.一种完全晶片级封装的MEMS麦克风的制造方法，包括：

分别制造第一封装晶片、MEMS麦克风晶片以及第二封装晶片，其中，所述第一封装晶片包括多个第一封装单元，所述第二封装晶片包括多个第二封装单元，以及所述MEMS麦克风晶片包括多个MEMS麦克风单元，每个所述MEMS麦克风单元包括形成有背孔的硅基底和支撑在所述硅基底上并与所述背孔对齐的声学传感部，以及其中，所述第一封装单元和/或所述第二封装单元和/或所述MEMS麦克风单元包括ASIC，以及所述第一封装单元或所述第二封装单元还包括声孔，用于允许声学信号到达所述声学传感部；

对所述MEMS麦克风晶片和所述第一封装晶片以及对所述第二封装晶片和所述MEMS麦克风晶片进行晶片到晶片键合，使得所述第一封装单元、所述MEMS麦克风单元以及所述第二封装单元都相应对齐，以形成多个完全晶片级封装的MEMS麦克风单元，在每个所述完全晶片级封装的MEMS麦克风单元中，所述声学传感部、所述ASIC以及形成在所述第一封装单元外侧和/或所述第二封装单元外侧的可表面安装的焊盘之间的电学连接通过互连线或者导电焊盘或者硅通路或者其组合来实现；

对所述完全晶片级封装的MEMS麦克风单元进行切割，以形成多个完全晶片级封装的MEMS麦克风，

其中，在每个所述完全晶片级封装的MEMS麦克风单元中，所述声学传感部包括支撑在所述硅基底上的穿孔背板和支撑在所述背板上并与该背板之间夹有空气间隙的顺应性振膜，以及其中，突出件形成在所述第一封装单元的内侧，以保护所述振膜不会粘住所述第一封装单元的内侧，

其中，所述ASIC位于所述第一封装单元、所述第二封装单元、以及所述MEMS麦克风单元中的任一者或两者上，或者位于它们三者之上。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述声学传感部至少包括：顺应性振膜；穿孔背板；以及形成在所述振膜和所述背板之间的空气间隙，其中，所述振膜和所述背板用于形成可变电容器的电极板。

3.如权利要求1所述的方法，其中，所述晶片到晶片键合通过金属-金属键合、金属共晶键合、焊接、以及导电粘合剂键合中任一种来实现。

4.如权利要求1所述的方法，其中，在每个所述完全晶片级封装的MEMS麦克风单元中，所述第一封装单元包括所述ASIC和所述声孔，所述第二封装单元包括凹槽，所述MEMS麦克风单元中的背孔和所述凹槽合并形成背腔，以及所述可表面安装的焊盘形成在所述第一封装单元的外侧。

5.如权利要求1所述的方法，其中，在每个所述完全晶片级封装的MEMS麦克风单元中，所述第一封装单元包括所述声孔，所述第二封装单元包括所述ASIC，以及所述可表面安装的焊盘形成在所述第一封装单元的外侧。

6.一种完全晶片级封装的MEMS麦克风，包括：

第一封装单元；

MEMS麦克风单元，包括形成有背孔的硅基底和支撑在所述硅基底上并与所述背孔对齐的声学传感部；以及

第二封装单元，

其中，所述第一封装单元和/或所述第二封装单元和/或所述MEMS麦克风单元包括ASIC，以及所述第一封装单元或所述第二封装单元还包括声孔，用于允许声学信号到达所述声学传感部，

其中，所述第一封装单元、所述MEMS麦克风单元以及所述第二封装单元对齐，所述MEMS麦克风单元键合到所述第一封装单元以及所述第二封装单元键合到所述MEMS麦克风单元，以及

其中，所述声学传感部、所述ASIC以及形成在所述第一封装单元外侧和/或所述第二封装单元外侧的可表面安装的焊盘之间的电学连接通过互连线或者导电焊盘或者硅通路或者其组合来实现，

其中，在每个所述完全晶片级封装的MEMS麦克风单元中，所述声学传感部包括支撑在所述硅基底上的穿孔背板和支撑在所述背板上并与该背板之间夹有空气间隙的顺应性振膜，以及其中，突出件形成在所述第一封装单元的内侧，以保护所述振膜不会粘住所述第一封装单元的内侧，

其中，所述ASIC位于所述第一封装单元、所述第二封装单元、以及所述MEMS麦克风单元中的任一者或两者上，或者位于它们三者之上。