[发明专利]信号传递电路

说明书

技术领域

本发明涉及一种能够在动作基准电压不同的高侧电路(high side circuit)与低侧电路(low side circuit)之间将多个信号进行电平移位后可靠地传递的结构简易的信号传递电路。

背景技术

作为对交流负载进行驱动的电力变换器，已知一种具备两个功率半导体元件Q1、Q2的电力变换器，该两个功率半导体元件Q1、Q2进行图腾柱(totem pole)连接来形成半桥电路，交替地进行导通截止(ON/OFF)动作来切换直流电压。作为这种电力变换器的驱动电路，例如使用具备高侧驱动器(高侧电路)和低侧驱动器(低侧电路)的高电压集成电路(HVIC)，该高侧驱动器对上臂侧的功率半导体元件Q1进行开关驱动，该低侧驱动器对下臂侧的功率半导体元件Q2进行开关驱动。

附带地说，上述高侧电路构成为以上述半桥电路的中点电压(第一电压)VS为基准电位，接收规定的电源电压VB(>VS)来进行动作。另外，上述低侧电路构成为以低于上述中点电压(第一电压)VS的上述半桥电路的接地电压(第二电压)GND为基准电位，接收规定的电源电压VCC(>GND)来进行动作。

另外，在上述高侧电路和上述低侧电路中，设置有检测上述功率半导体元件Q1、Q2的过电流、过热等异常来保护该功率半导体元件Q1、Q2的保护电路、将异常检测信号通知给上述高侧电路和上述低侧电路的控制电路部的信号输出电路。然而，上述高侧电路如前所述那样构成为以上述半桥电路的中点电压VS为基准电位来进行动作。另外，上述低侧电路构成为以接地电压GND为基准电位来进行动作。因此，为了向上述低侧电路传递在上述高侧电路处检测出的异常检测信号等，需要将该异常检测信号进行电平下调。另外，在反之从上述低侧电路向上述高侧电路传递信号的情况下，需要将例如控制信号等进行电平上调。

例如在专利文献1、2中介绍了一种将输入到低侧电路的信号进行电平上调后向高侧电路传递信号的电平移位电路。这些各电平移位电路如图27和图28所分别示出的那样具备包括并联地设置于上述低侧电路的由n型MOS-FET构成的半导体开关元件MN1、MN2的两个系统的电路，该半导体开关元件MN1、MN2上分别串联有连接电阻R1、R2。而且，构成为：从低侧电路向高侧电路，通过一方的半导体开关元件MN1传递与要传递的信号相应的导通信号，并且通过另一方的半导体开关元件MN2传递截止信号，使用这些信号对设置于上述高侧电路的锁存电路进行置位/复位。

在此，在从高侧电路向低侧电路传递信号的情况下，对并联地设置于高侧电路的由p型MOS-FET构成的半导体开关元件分别进行导通截止驱动来传递导通信号和截止信号。而且，构成为通过上述导通信号和截止信号对设置于上述低侧电路的锁存电路进行置位/复位。此外，专利文献1中如图27所示那样将RS触发器用作锁存电路。另外，专利文献2中如图28所示那样使用将p型MOS-FET与n型MOS-FET串联连接而构成的电平触发型的锁存电路。

专利文献1：日本特开平9-200017号公报

专利文献2：日本特开2011-44770号公报

发明内容

发明要解决的问题

另外，在使用专利文献1、2所介绍的结构的电平移位电路的情况下，例如为了传递多种信号，需要与该信号数相应的数量的电平移位电路，存在电路规模增大的问题。而且，以上述中点电压VS为基准电位来进行动作的上述高侧电路通常进行浮动(floating)动作。因此，在上述高侧电路与上述低侧电路之间传递信号的情况下，由于上述高侧电路的电源电压变动(dV/dt)而容易产生与上述半导体开关元件的寄生电容的充放电相伴的电位变动。于是，存在以下担忧：上述电平移位电路进行误动作，噪声叠加在上述高侧电路与上述低侧电路之间传递的信号上。

本发明是考虑这种情况而完成的，其目的在于提供一种防止随着在高侧电路与低侧电路之间进行电平移位后进行传递的信号数的增加所引起的电路规模的增大、并且能够不受因电源电压的变动等引起的噪声的影响地在上述高侧电路与上述低侧电路之间将信号进行电平移位后可靠地传递的结构简易的信号传递电路。

用于解决问题的方案

为了达到上述目的，本发明是一种在分别以互不相同的电压为基准电位来进行动作的第一电路与第二电路、具体地说是高侧电路与低侧电路之间将多个信号进行电平移位后进行传递的信号传递电路，该信号传递电路的特征在于，