[发明专利]被包覆氧化镁粉末以及该被包覆氧化镁粉末的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及可以作为填充于树脂的填充料使用的被包覆氧化镁粉末、以及该被包覆氧化镁粉末的制造方法。又，本发明涉及包括所述被包覆氧化镁粉末的树脂组成物、以及由该树脂组成物形成的散热性构件。

背景技术

电子器件由层叠体、印刷线路板、多层线路板等电子部件构成。在电子部件中，通常树脂组成物使用于半固化片、衬垫、密封剂、粘接性薄板等中，该树脂组成物被要求具备各种性能或特性。例如，最近的趋势是电子器件中的大容量功率元件的搭载、高密度的封装，伴随于此要求树脂组成物以及其应用品具有比以往更优异的散热性、耐湿性。

使用于半导体密封用树脂组成物的填充料（filler）以往一直使用二氧化硅（以下称为二氧化硅（silica））、氧化铝（以下称为氧化铝（alumina））。然而，二氧化硅的导热性较低，针对因高集成化、高电力化、高速化等而引起的放热量增大作为应对措施的散热并不充分，因此在半导体的稳定工作等中产生问题。另一方面，在使用导热性高于二氧化硅的氧化铝时，散热性得到改善，但是氧化铝硬度较高，因此存在炼胶机和成型机以及模具的磨损严重的问题。

因此，将导热系数比二氧化硅高一数量级且具有氧化铝的约两倍的导热系数的氧化镁作为半导体密封用树脂填充料的材料进行研究。然而，氧化镁粉末的吸湿性大于二氧化硅粉末的吸湿性。因此，在将氧化镁粉末作为半导体密封用树脂填充料使用时，吸湿的水分和氧化镁进行水合，而填充料的体积膨胀，由此引起裂痕的产生、导热性降低等的问题。因此，对作为半导体密封用树脂填充材料使用的氧化镁粉末提供耐湿性在确保半导体的长期稳定动作的方面成为重要的课题。

作为改善氧化镁粉末的耐湿性的方法，专利文献1以及专利文献2公开了如下被包覆氧化镁粉末的制造方法：将铝盐或硅化合物和氧化镁粉末进行混合，将固体部分过滤干燥并煅烧，以此将该氧化镁粉末的表面用含有铝或硅和镁的复合氧化物的包覆层进行包覆。

现有技术文献：

专利文献：

专利文献1：日本特开2003-34522号公报；

专利文献2：日本特开2003-34523号公报。

发明内容

发明要解决的问题：

然而，通过上述方法得到的被包覆氧化镁粉末虽然耐湿性得到改善，但是粉末颗粒形成为有棱角的形状，因此存在对树脂的填充性较低，并且进一步得到的树脂组成物的流动性较低的问题。

本发明的目的是解决上述问题，并且提供导热性和耐湿性优异，此外，在作为填充于树脂的填充料进行使用时，填充后的树脂组成物的流动性较高，其结果是成型性优异的被包覆氧化镁粉末、以及该被包覆氧化镁粉末的制造方法。本发明的另一目的是，提供包含该被包覆氧化镁粉末的树脂组成物、以及由该树脂组成物形成的散热性构件。

解决问题的手段：

本发明涉及被包覆氧化镁粉末，具有：在压汞式微孔分布中，颗粒内孔隙量为0.3～0.8cm³/g、众径（众数直径）（mode diameter）为0.2～1.0μm、以及拐点径（inflection point diameter）为0.9μm以上的氧化镁粉末；和形成在所述氧化镁粉末表面的至少一部分上且包含磷酸镁系化合物的包覆层；被包覆氧化镁粉末内的磷含量为0.1～10质量%。

又，本发明还涉及由该被包覆氧化镁粉末形成的填充料。

此外，本发明还涉及含有树脂、和该填充料的树脂组成物。该树脂组成物可以作为粘接剂或半导体密封剂等散热性构件使用。

此外，又，本发明又涉及被包覆氧化镁粉末的制造方法，将纯度98%以上的氢氧化镁在1000℃～1200℃下煅烧，以此得到氧化镁粉末，在所述氢氧化镁中B含有100～1000ppm、Na含有300ppm以下、K含有300ppm以下、Cl含有0.02～0.5质量%、且Si以SiO₂换算含有0.02～0.5质量%、Ca以CaO换算含有0.1～0.8质量%；之后，将所述氧化镁粉末与磷化合物混合，在300℃以上的温度下煅烧，以此在所述氧化镁粉末表面的至少一部分上形成包含磷酸镁系化合物的包覆层。

发明效果：

根据本发明，可以提供导热性和耐湿性优异，此外，作为填充于树脂的填充料使用时填充性优异，且填充后的树脂组成物的流动性较高，其结果是成型性优异的被包覆氧化镁粉末。

附图说明

图1是拍摄实施例1中制造的被包覆氧化镁粉末的电子显微镜照片。

具体实施方式

以下，具体说明本发明。